[发明专利]一种用于多元碳与陶瓷基复合材料的环境障涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于多元碳与陶瓷基复合材料的环境障涂层，其特征在于，

自基体材料向外依次包括硅粘结层、莫来石层、稀土硅酸盐层及稀土锆酸盐层；

所述硅粘结层的厚度为60～70μm，所述莫来石层的厚度为60～80μm，所述稀土硅酸盐层的厚度为100～120μm，所述稀土锆酸盐层的厚度为100～150μm。

2.根据权利要求1所述的用于多元碳与陶瓷基复合材料的环境障涂层，其特征在于，所述稀土硅酸盐层所用材料为单硅酸镱或焦硅酸镱，所述稀土锆酸盐层所用材料为锆酸镧。

3.一种用于多元碳与陶瓷基复合材料的环境障涂层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

步骤S1，在基体材料的表面设置硅粘结层；

步骤S2，在所述硅粘结层的表面设置莫来石层；

步骤S3，在所述莫来石层的表面设置稀土硅酸盐层；

步骤S4，在所述稀土硅酸盐层的表面设置稀土锆酸盐层。

4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，

所述硅粘结层的厚度为60～70μm，所述莫来石层的厚度为60～80μm，所述稀土硅酸盐层的厚度为100～120μm，所述稀土锆酸盐层的厚度为100～150μm。

5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，在所述步骤S1之前，还包括：

将所述基体材料切削至所需尺寸，并对其进行表面处理，以增加涂层与所述基体材料之间的机械粘结强度；

用去离子水对所述基体材料的表面进行清洗，并将清洗过的基体材料放入烘箱中进行干燥。

6.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述基体材料为多元碳与陶瓷基复合材料。

7.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

利用等离子喷涂工艺、电子束物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述基体材料的表面制备硅粘结层；

制备所述硅粘结层所用硅粉的目数为200目。

8.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

利用等离子喷涂工艺、电子束物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述硅粘结层的表面制备莫来石层；

制备所述莫来石层所用的莫来石粉体的粒度为30～50μm。

9.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

利用等离子喷涂工艺或电子束物理气相沉积工艺在所述莫来石层的表面制备稀土硅酸盐层；

制备所述稀土硅酸盐层所用稀土硅酸盐包括单硅酸镱、焦硅酸镱或硅酸钇，所述稀土硅酸盐的粉体的粒度为40～80μm。

10.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：

利用等离子喷涂工艺或电子束物理气相沉积工艺在所述稀土硅酸盐层的表面制备稀土锆酸盐层；

制备所述稀土锆酸盐层所用稀土锆酸盐为锆酸镧、锆酸钐或锆酸钆，所述稀土锆酸盐的粉体的粒度为50～70μm。