[发明专利]一种M2型单晶硅快速收尾方法

权利要求书

1.一种M2型单晶硅快速收尾方法，其特征在于，包括前生长、缩径生长和后生长；

所述前生长包括：将坩埚停止上升，单晶上升拉速设定为1.00mm/min，温校速率设定为15-20，收尾开始，至收尾长度达到3mm，再将单晶上升拉速降至0.7 mm/min，温校速率设定为10；

所述缩径生长包括：收尾长度在3-80 mm之间，随收尾长度增长逐次增大单晶拉速并升高温校速率；

所述后生长包括：收尾长度在81mm，将温校速率降低至0，单晶上升拉速提高0.05 mm/min；收尾长度在82-91mm之间，随收尾长度增长逐次增大单晶拉速至1.98 mm/min；收尾长度在91mm之后，保持单晶上升拉速为匀速，待收尾长度达到100mm，将单晶硅棒提断，收尾结束。

2. 根据权利要求1所述的一种M2型单晶硅快速收尾方法，其特征在于，所述缩径生长包括：收尾长度在11-30mm之间，将温校速率均匀升高2，单晶上升拉速均匀提高0.07 mm/min；收尾长度在31-50mm之间，将温校速率均匀升高2，单晶上升拉速均匀提高0.11 mm/min；收尾长度在51-60mm之间，将温校速率均匀升高2，单晶上升拉速均匀提高0.14 mm/min；收尾长度在61-70mm之间，将温校速率均匀升高1，单晶上升拉速均匀提高0.19 mm/min；收尾长度在71-80mm之间，将温校速率均匀升高1，单晶上升拉速均匀提高0.20 mm/min。

3.根据权利要求2所述的一种M2型单晶硅快速收尾方法，其特征在于，后生长包括：收尾长度在82-86mm之间，将单晶上升拉速均匀提高0.22 mm/min；收尾长度在87-91mm之间，将单晶上升拉速均匀提高0.30 mm/min。

4.根据权利要求1-3中任一所述的一种M2型单晶硅快速收尾方法，其特征在于，M2型单晶硅用CZ-90单晶炉收尾。