[发明专利]CZ‑80单晶炉自动收尾方法

权利要求书

1.CZ-80单晶炉自动收尾方法，其特征在于，用CZ-80单晶炉的单晶生长PLC控制系统进行收尾操作，包括：

1)单晶收尾开始时单晶拉速和温校值的设定，以及

2)单晶收尾结束前随单晶收尾长度的变化而调节单晶拉速和温校值；

所述步骤1)中，收尾开始时温校值为20，收尾开始时单晶拉速a依据单晶等径生长末尾段的平均拉速设定，若该平均拉速低于0.8mm/min，则将a设为0.6mm/min，若该平均拉速高于0.8mm/min，则将a设为0.7mm/min；

所述步骤2)中，单晶收尾长度达到20mm后，随单晶收尾长度增长逐次增大单晶拉速并同时降低温校值，直至单晶拉速为b且温校值为0，其中b＝(a+0.61)mm/min；

单晶拉速的每次增加值在总体上呈递增关系，其递增量为0.01～0.05mm/min；温校值每次降低1～3；

所述温校值是CZ-80单晶炉单晶生长PLC控制系统中的功率变化参数，满足如下关系：

温校值设定为x，则每过1min，单晶炉的加热功率对应增加y，y＝x×2.5w；

其中，w为加热功率y的单位。

2.根据权利要求1所述的CZ-80单晶炉自动收尾方法，其特征在于，所述步骤2)中，单晶收尾长度每增长20mm，调整一次单晶拉速和温校值。

3.根据权利要求1所述的CZ-80单晶炉自动收尾方法，其特征在于，所述单晶等径生长末尾段的平均拉速是指等径生长阶段后100mm生长时单晶拉速的平均值。

4.根据权利要求1所述的CZ-80单晶炉自动收尾方法，其特征在于，所述步骤2)中，单晶收尾长度达到20mm时，将单晶拉速增大0.03mm/min，同时将温校值减小2；单晶收尾长度达到40mm时，将单晶拉速增大0.03mm/min，同时将温校值减小3；单晶收尾长度达到60mm时，将单晶拉速增大0.04mm/min，同时将温校值减小2；单晶收尾长度达到80mm时，将单晶拉速增大0.05mm/min，同时将温校值减小3；单晶收尾长度达到100mm时，将单晶拉速增大0.06mm/min，同时将温校值减小2；单晶收尾长度达到120mm时，将单晶拉速增大0.07mm/min，同时将温校值减小2；单晶收尾长度达到140mm时，将单晶拉速增大0.08mm/min，同时将温校值减小1；单晶收尾长度达到180mm时，将单晶拉速增大0.10mm/min，同时将温校值减小2；单晶收尾长度达到200mm时，将单晶拉速增大0.15mm/min，同时将温校值减小3，温校值为0。