[发明专利]一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法有效
| 申请号： | 201610382107.6 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN105887201B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨青慧;郝俊祥;张怀武;马博;饶毅恒;田晓洁;贾利军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B19/00;C30B19/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 厚膜 单晶石榴石 薄膜 模拟曲线 液相外延生长 间歇式生长 晶格匹配 间歇式 晶格匹配度 石榴石单晶 石榴石厚膜 薄膜晶格 薄膜生长 表面平整 磁光器件 多次重复 结构致密 晶格失配 速率变化 液相外延 制备熔体 单晶态 基底 预设 制备 微波 清洗 测试 应用 | ||
【权利要求书】：
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