[发明专利]低膨胀陶瓷烤网及其制备方法

权利要求书

1.一种低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，包括坯体制备方法，坯釉制备方法以及施釉方法；

所述坯体制备方法包括：

步骤S100：选用透锂长石15～30％，锂辉石20～30％，合成堇青石30～40％，福建龙岩高岭土10～25％，硅酸锆8～15％进行配比形成坯体混合物；

步骤S110：将坯体混合物加水、均匀混合并球磨成坯体泥浆；

步骤S120：将所述坯体泥浆陈腐后除铁，干燥并喷成陶瓷圆形粉体；

步骤S130：将所述陶瓷圆形粉体水分均化后压制成毛坯；

步骤S140：将毛坯干燥并素烧，形成坯体备用；

所述坯釉制备方法包括：

步骤S200：选用透锂长石50～70％，贵州高岭土5～15％，萍乡石英5～25％，滑石2～10％，氧化锌2～10％，环保熔块2～10％进行配比形成坯釉混合物；

步骤S210：将所述坯釉混合物加水、均匀混合并球磨成坯釉泥浆；

步骤S220：将所述坯釉泥浆除铁后形成坯釉备用；

所述施釉方法包括：

步骤S300：将所述坯体修整，去角，尺寸加工；

步骤S310：将坯釉施于坯体外表面，并再次修整形成半成品；

步骤S320：将半成品入窑进行釉烧。

2.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，陈腐的时间为2天。

3.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤 网制备方法，其特征在于，所述陶瓷圆形粉体为20目～80目，且含水率为7～10％。

4.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，所述毛坯的在50℃～150℃的干燥窑内干燥，干燥后所述毛坯的水分在1％以下。

5.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，所述毛坯素烧时在素烧炉中的温度为900℃～1100℃。

6.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，所述半成品入窑釉烧温度为1200℃～1250℃。

7.根据权利要求1所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法，其特征在于，所述坯釉通过静电喷釉或浸釉的方式施于坯体外表面。

8.一种由如权利要求1-7任意一项所述的低膨胀陶瓷烤网制备方法制备的低膨胀陶瓷烤网，其特征在于，所述低膨胀陶瓷烤网包括：坯体及釉烧在坯体外部的坯釉组成，所述坯体包括透锂长石15～30％，锂辉石20～30％，合成堇青石30～40％，福建龙岩高岭土10～25％，硅酸锆8～15％；所述坯釉包括透锂长石50～70％，贵州高岭土5～15％，萍乡石英5～25％，滑石2～10％，氧化锌2～10％，环保熔块2～10％。