[发明专利]一种黑硅电池的制作方法和装置

权利要求书

1.一种黑硅电池的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，采用O₃部件对P型金刚线硅片进行氧化，所述P型金刚线硅片的四周的O₂流过的浓度高于中心区域的O₂流过的浓度；

步骤2，对所述P型金刚线硅片进行磷扩散；

其中，所述O₃部件用于对P型金刚线硅片进行氧化，包括设置在所述P型金刚线硅片流过处的中央区域的过滤网，所述过滤网用于使得所述P型金刚线硅片的四周的O₂浓度高于所述P型金刚线硅片的中央的O₂浓度。

2.如权利要求1所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，在所述步骤2之后，还包括：

步骤3，对经过磷扩散的所述P型金刚线硅片的背面进行刻蚀，去除所述P型金刚线硅片上的PSG和边缘pn结；

步骤4，对所述P型金刚线硅片的正面PECVD沉积两层减反射膜。

3.如权利要求2所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述P型金刚线硅片的四周的O₂流过的浓度高于中心区域的O₂流过的浓度为所述P型金刚线硅片的四周的O₂浓度为所述P型金刚线硅片的中心区域的O₂浓度的120％。

4.如权利要求3所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述减反射膜为SiNx薄膜。

5.如权利要求4所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述对所述P型金刚线硅片进行氧化包括：

所述P型金刚线硅片的中心处沉积的氧化层的厚度为4nm，所述P型金刚线硅片的四周的氧化层的厚度为5nm。

6.如权利要求5所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，在所述步骤4之后，还包括：

步骤5，在所述P型金刚线硅片的正表面印刷银浆作为正电极、背表面印刷铝浆作为背电场以及印刷银铝浆作为背电极之后，进入烧结炉进行烧结。

7.如权利要求1所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述P型金刚线硅片的磷扩散，包括：

采用三氯氧磷液态源，将具有黑硅绒面的P型金刚线硅片在管式扩散炉中进行磷扩散。

8.如权利要求7所述的黑硅电池的制造方法，其特征在于，所述黑硅绒面的P型金刚线硅片的制作工艺包括：

步骤11，对预先选定的P型金刚线硅片进行制绒和清洗处理，形成基本制绒面；

步骤12，对具有所述基本制绒面的P型金刚线硅片进行二次制绒，获得黑硅绒面。

9.一种黑硅电池的制造装置，其特征在于，包括：

O₃部件，所述O₃部件用于对P型金刚线硅片进行氧化，包括设置在所述P型金刚线硅片流过处的中央区域的过滤网，所述过滤网用于使得所述P型金刚线硅片的四周的O₂浓度高于所述P型金刚线硅片的中央的O₂浓度。

10.如权利要求9所述的黑硅电池的制造装置，其特征在于，所述过滤网为使得所述P型金刚线硅片的四周的O₂浓度为所述P型金刚线硅片的中央的O₂浓度的120％的过滤网。