[发明专利]MEMS麦克风及其制备方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层，所述基板的中部设有第一开口，所述下电极层横跨于所述基板上；所述牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在所述下电极层上，所述牺牲层厚度为3～5um，使得所述基板发生翘曲，并在所述牺牲层、应力层上开设第二开口；

所述应力层的应力方向与所述基板的翘曲方向相反，所述应力层设置在所述牺牲层上以减轻或消除所述基板的翘曲，所述应力层的厚度根据所述基板的翘曲程度确定；所述应力层为氮化硅层；所述第二开口与所述第一开口对应设置。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述上电极层为柔韧性薄膜，作为振膜，所述下电极层为刚性薄膜，作为背板；或，

所述上电极层为刚性薄膜，作为背板，所述下电极层为柔韧性薄膜，作为振膜。

3.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其特征在于，在所述背板上设有多个声孔。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述上电极层和所述下电极层均包含导电层。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述牺牲层上还设有缺口，用于暴露所述牺牲层下的所述下电极层。

6.根据权利要求5所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS麦克风还包括第一焊盘和第二焊盘；

所述第一焊盘设置在所述上电极层的一侧，所述第二焊盘设置在暴露的所述下电极上。

7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述基板上还设有绝缘层，所述下电极层跨接于所述绝缘层上，用于使所述基板和所述下电极层相互绝缘。

8.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，并在所述基板上依次沉积形成下电极层、牺牲层和应力层，所述牺牲层厚度为3～5um，使得所述基板发生翘曲；

在所述应力层形成上电极层或下电极层的振动活动区域，且所述应力层的应力方向与所述基板的翘曲方向相反，所述应力层设置在所述牺牲层上以减轻或消除所述基板的翘曲，所述应力层的厚度根据所述基板的翘曲程度确定；所述应力层为氮化硅层；

在所述应力层沉积形成上电极层；

在所述基板上形成第一开口；

在与所述振动活动区域相对应的所述牺牲层上形成第二开口，且所述第二开口与所述第一开口对应设置。

9.根据权利要求8所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，若所述上电极层为柔韧性薄膜，所述下电极层为刚性薄膜，则在所述下电极层上形成多个声孔；若所述上电极层为刚性薄膜，所述下电极层为柔韧性薄膜，则在所述上电极层上形成多个声孔。

10.根据权利要求8所述的MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，在所述上电极层上形成第一焊盘，在所述下电极层上形成第二焊盘。