[发明专利]磁传感器集成电路、电机组件及应用设备

权利要求书

1.一种磁传感器集成电路，其特征在于，包括壳体、设于所述壳体内的半导体基片、设于所述半导体基片上的电子线路以及自所述壳体伸出的输出端口和用于连接外部电源的输入端口，所述电子线路包括磁场检测电路；

所述磁场检测电路包括：

磁感知元件，用于感知外部磁场并输出检测电信号；

信号处理单元，用于对所述检测电信号进行放大去干扰处理，生成模拟电信号；

比较器，用于将所述模拟电信号与比较器参考电压进行比较，输出与所述外部磁场相应的磁场检测信息，其中，所述比较器参考电压基于所述磁场检测电路的输入共模电压生成；

所述磁场检测电路还包括参考电压生成电路，所述参考电压生成电路包括电压检测电路和分压器；所述电压检测电路用于检测所述输入共模电压与所述比较器参考电压的共模电压的差异并输出对应的检测电流；所述分压器具有一对用于输出差分的所述比较器参考电压的输出端以及一个用于输出所述比较器参考电压的共模电压的输出端；其中，所述检测电流流过所述分压器，所述检测电流的变化导致所述分压器输出的所述比较器参考电压及所述比较器参考电压的共模电压也相应变化。

2.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述磁感知元件由一恒定电流源供电。

3.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述比较器参考电压随所述输入共模电压的变化而变化。

4.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述比较器参考电压包括由一对差分参考电压彼此相减产生的一个较高阈值和一个较低阈值；所述模拟电信号包括一对差分电压信号；所述比较器包括：第一比较器、第二比较器及锁存逻辑电路；其中，所述第一比较器和所述第二比较器各自具有四个输入端，所述四个输入端分别接收该对差分参考电压和该对差分电压信号，所述第一比较器和所述第二比较器的差分参考电压反接；

其中，所述第一比较器被配置为输出该对差分电压信号的压差与所述较高阈值的比较结果，所述第二比较器被配置为输出所述压差与所述较低阈值的比较结果；所述锁存逻辑电路被配置为：当所述第一比较器的比较结果表示所述压差大于所述较高阈值时输出第一电平，当所述第二比较器的比较结果表示所述压差小于所述较低阈值时输出与所述第一电平相反的第二电平，当所述第一比较器和所述第二比较器的比较结果表示所述压差处于所述较高阈值和较低阈值之间时保持原输出状态。

5.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述检测电信号包括磁场信号和偏差信号，所述信号处理单元包括：斩波开关、斩波型放大器及低通滤波器；其中：

所述斩波开关，用于将所述磁感知元件输出的所述偏差信号和所述磁场信号分离到基带频率和斩波频率；

所述斩波型放大器用于对经分离的偏差信号和磁场信号进行放大，并将经放大的偏差信号和磁场信号交换到所述斩波频率和所述基带频率；

所述低通滤波器用于消除交换到所述斩波频率的偏差信号。

6.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，还包括电源模块，所述电源模块包括：输入端与所述输入端口相连的整流器，用于将所述外部电源转换成第一直流电压。

7.根据权利要求6所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述电源模块还包括调压单元，用于将所述整流器输出的所述第一直流电压转换为第二直流电压，所述第一直流电压的平均值大于所述第二直流电压的平均值。

8.根据权利要求7所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述电源模块还包括电流源生成电路，所述电流源生成电路由所述第二直流电压供电，生成不随温度变化的恒定电流源；所述磁感知元件由所述恒定电流源供电。

9.根据权利要求1所述的磁传感器集成电路，其特征在于，所述信号处理单元包括用于对所述检测电信号进行放大的放大器和用于消除所述检测电信号中的干扰信号的滤波器；所述输入共模电压输入所述放大器和所述滤波器。