[发明专利]石墨烯光电探测器有效
| 申请号： | 201610392574.7 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105895729B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 梁铮;倪振华;丁荣;梁贺君;陈谷一;袁文军;王阳晖 | 申请（专利权）人： | 泰州巨纳新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0328;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司11516 | 代理人： | 王炜 |
| 地址： | 225300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 光电 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨烯光电探测器，其特征在于，源极和漏极连接外部电源，1层或1层以上的石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上；绝缘介质层下方依次设有半导体纳米结构层和栅电极层；所述半导体纳米结构层为2层以上；所述漏极和栅电极层通过栅电源连接；
半导体纳米结构层采用CdSe，CdS或PbS半导体材料，单层厚度为3-8nm。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯光电探测器，其特征在于，源极和漏极采用由50nm厚的金层与5nm厚的镍层组成的复合电极。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯光电探测器，其特征在于，绝缘介质层选用50-200nm的SiO2，Al2O3或HfO2。
4.根据权利要求1所述的一种石墨烯光电探测器，其特征在于，石墨烯电子传输层为1-10层。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种石墨烯光电探测器，其特征在于，栅电极层采用Si、Ge或HgCdTe。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
