[发明专利]一种Ni@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种Ni@C@g-C₃N₄纳米复合物，其特征在于，该纳米复合物微观结构为Ni@C核壳结构纳米胶囊嵌入g-C₃N₄纳米片中；该纳米复合物是利用等离子体电弧放电技术，在工作气体下原位制备得到，其中：

采用石墨电极为阴极，镍-三聚氰胺粉末块体为阳极靶材，所述阴极与阳极靶材之间保持2～30mm的距离；电弧放电的电压为10～40V；所述工作气体为氩气和甲烷气体；所述阳极靶材中镍所占的质量百分比为70～90％；所述氩气的分压为0.01～0.5MPa,甲烷气体的分压为0.01～0.3MPa。

2.如权利要求1所述Ni@C@g-C₃N₄纳米复合物制成的吸波涂层，其特征在于：所述纳米复合物以40％～50％质量百分比的添加量加入到基体物质中制成吸波涂层。

3.如权利要求2所述的吸波涂层，其特征在于：所述的基体物质为石蜡。

4.如权利要求2或3所述的吸波涂层在作为2～18GHz范围电磁波吸收材料方面的应用。