[发明专利]确定聚焦位置修正的方法、光刻处理元和器件制造方法

权利要求书

1.一种用于确定光刻投影设备的聚焦位置校正量的方法，所述方法包括：

测量在测试衬底上的多个场内校正标记中的每一个场内校正标记的依赖于聚焦位置的特性，其中所述场内校正标记布置在多个场内校正场中，所述场内校正标记已经被使用变化的聚焦位置曝光；

根据所述被测量的依赖于聚焦位置的特性来确定每一场内校正标记位置的场内聚焦位置变化信息；

根据所述场内聚焦位置变化信息计算所述场内聚焦位置校正量；其中所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括：考虑向上扫描向下扫描效应，由此被测量的参数显示了在光刻过程期间依赖于扫描方向的变化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括：针对于在每一场内位置处的平均的场内聚焦位置偏置和在每一场内位置处的向上扫描向下扫描效应所导致的差别来将场内聚焦位置变化信息模型化。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括：单独考虑由于形成所述光刻设备的一部分的栅格板所引起的栅格板聚焦位置误差。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述栅格板聚焦位置误差被依据晶片象限引发，所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括：使用过滤函数将不同的场内聚焦位置变化信息模型化以过滤掉测试衬底的特定的象限。

5.一种用于确定用于光刻投影过程中的聚焦位置校正量的光刻单元，所述光刻单元包括：

光刻设备，能够操作以在测试衬底上曝光多个场内校正标记，其中所述场内校正标记布置在多个场内校正场中，所述场内校正标记已经被用每个场的剂量设置和伪随机聚焦位置进行曝光；

检查设备，能够操作以测量用于所述多个场内校正标记中每一个场内校正标记的依赖于聚焦位置的特性；和

处理器，能够操作以根据所述被测量的依赖于聚焦位置的特性确定每一场内校正标记位置的场内聚焦位置变化信息，和根据所述场内聚焦位置变化信息计算场内聚焦位置校正量；其中所述计算场内聚焦位置校正量的步骤包括：考虑向上扫描向下扫描效应，由此被测量的参数显示出在光刻过程期间依赖于扫描方向的变化。

6.根据权利要求5所述的光刻单元，其中所述处理器还能够操作以针对于在每一场内位置处的平均场内聚焦位置偏置和在每一场内位置处的向上扫描向下扫描效应所造成的差别来将场内聚焦位置变化信息模型化。

7.根据权利要求5或6所述的光刻单元，其中所述处理器能够操作以单独考虑由于形成所述光刻设备的一部分的栅格板所引起的栅格板聚焦位置误差。

8.根据权利要求7所述的光刻单元，其中，所述栅格板聚焦位置误差被依据晶片象限引发，所述处理器能够操作以通过以下步骤来计算场内聚焦位置校正量：使用过滤函数对不同的场内聚焦位置变化信息模型化以过滤掉测试衬底的特定的象限。