[发明专利]流体处理装置

权利要求书

1.一种流体处理装置，其特征在于包括：

具有流体通道的基体，以及

复数根线形体的聚集体，用以对流经所述流体通道的、混杂有选定颗粒的流体进行处理；

所述聚集体分布于所述流体通道内，并具有多孔结构，所述多孔结构内孔洞的直径大于0但小于所述选定颗粒的粒径。

2.根据权利要求1所述的流体处理装置，其特征在于：所述线形体一端均与所述流体通道的内壁固定连接，另一端沿所述流体通道的径向延伸；和/或，所述复数根线形体相互交叉或彼此交织形成所述多孔结构；或者，所述复数根线形体彼此间隔设置并平行排布形成所述多孔结构。

3.根据权利要求1所述的流体处理装置，其特征在于：所述基体具有相背对的第一表面和第二表面，所述流体通道的流体入口分布于所述基体的第一表面。

4.根据权利要求3所述的流体处理装置，其特征在于：所述基体的第一表面还分布有彼此间隔设置的复数根竖立线形体，所述复数根竖立线形体环绕所述流体通道设置。

5.根据权利要求4所述的流体处理装置，其特征在于还包括流体阻挡部，所述流体阻挡部具有与所述基体的第一表面相对设置的第三表面，并且所述复数根竖立线形体一端固定设置于所述基体的第一表面，另一端与所述流体阻挡部的第三表面固定连接，其中相邻竖立线形体之间的距离大于0但小于所述选定颗粒的粒径。

6.根据权利要求5所述的流体处理装置，其特征在于：所述流体通道的流体入口及复数根竖立线形体分布在所述流体阻挡部于所述基体的第一表面的正投影内。

7.根据权利要求4所述的流体处理装置，其特征在于：所述竖立线形体的长径比为4：1～200000：1；和/或，相邻竖立线形体之间的距离与所述竖立线形体的长度的比值为1：4～1：200000；和/或，所述线形体的直径为1nm～500μm。

8.根据权利要求1所述的流体处理装置，其特征在于：所述线形体选自纳米线或纳米管。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的流体处理装置，其特征在于：至少于所述线形体表面还分布有光催化材料或抗菌材料；和/或，所述线形体包括碳纳米线、碳纳米管、ZnO纳米线、GaN纳米线、TiO₂纳米线、Ag纳米线、Au纳米线中的任一种或两种以上的组合。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的流体处理装置，其特征在于：所述基体的第一表面还设置有功能材料层，所述功能材料层的材质包括光催化材料或抗菌材料；和/或，所述流体处理装置中的至少部分组件具有透明结构；和/或，所述流体通道的流体入口具有规则或不规则形状，所述规则形状包括多边形、圆形或椭圆形；和/或，所述流体通道的孔径为1μm～1mm；和/或，所述基体的厚度在1μm以上。