[发明专利]CVD单晶金刚石的二维扩大方法有效
| 申请号： | 201610398798.9 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN106012003B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马志斌;吴超;黄宏伟;张田田;宋修曦 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 二维 沉积室 衬底托 籽晶 微波等离子体化学气相沉积 等离子体 单晶金刚石材料 生长单晶金刚石 顶部表面 气体流量 气体吸收 微波功率 微波能量 抽真空 金属钼 室内部 氢气 衬底 放入 甲烷 沉积 气压 剥离 侧面 暴露 激发 生长 制造 | ||
【权利要求书】：
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