[发明专利]流体处理装置有效

专利信息
申请号: 201610399527.5 申请日: 2016-06-07
公开(公告)号: CN107469479B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 杨国勇;史建伟 申请(专利权)人: 苏州苏瑞膜纳米科技有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;B82Y40/00
代理公司: 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 代理人: 杨瑞玲
地址: 215000 江苏省苏州市吴中区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 流体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种流体处理装置,其特征在于包括:

具有第一流体通道的基体,所述第一流体通道具有流体入口和流体出口,所述第一流体通道的流体入口分布于所述基体的第一表面的第一区域内;

流体阻挡部,具有与所述基体的第一表面相对设置的第二表面,用于阻止待处理流体直接进入所述第一流体通道的流体入口;

复数个凸起部,所述凸起部沿横向在所述基体的第一表面的第二区域连续延伸,其中相邻凸起部之间形成有可供流体通过的沟槽,所述沟槽的开口部的口径大于0但小于混杂于待处理的流体内的选定颗粒的粒径,并且所述凸起部的上端与所述基体的第一表面密封连接,下端的局部区域与所述流体阻挡部的第二表面密封连接,从而使所述复数个凸起部之间的一个以上沟槽、流体阻挡部与基体配合形成第二流体通道,且待处理的流体仅能通过所述第二流体通道进入第一流体通道;

所述基体的第一表面的第二区域环绕第一区域设置;

所述的复数个凸起部均匀分布或非均匀分布在所述基体的第一表面上,所述凸起部的形状包括长条状或片状。

2.根据权利要求1所述的流体处理装置,其特征在于:所述凸起部的下端的局部区域及所述第一流体通道的流体入口均分布在所述流体阻挡部于所述基体的第一表面上形成的正投影内。

3.根据权利要求1所述的流体处理装置,其特征在于:所述第一流体通道的流体入口具有规则或不规则形状,所述规则形状包括多边形、圆形或椭圆形。

4.根据权利要求1所述的流体处理装置,其特征在于:所述凸起部的宽度为1nm~50μm,高度为50nm~200μm;和/或,形成于相邻凸起部之间的沟槽开口部的尺寸为1nm~50μm;和/或,所述第一流体通道的孔径为1μm~1mm;和/或,所述基体的厚度在1μm以上;和/或,所述流体阻挡部的厚度为0.5μm~200μm;和/或,所述凸起部表面还设置有功能材料层,所述功能材料层的材质包括光催化材料或抗菌材料;和/或,所述基体、流体阻挡部、凸起部中的至少一者的至少局部为透明结构。

5.一种流体处理装置,其特征在于包括:

具有第一流体通道的基体,所述第一流体通道具有流体入口和流体出口,所述第一流体通道的流体入口分布于所述基体的第一表面;

彼此间隔设置的复数个凸起部,所述凸起部固定设置在所述基体的第一表面上,并沿横向在所述基体的第一表面上连续延伸,其中相邻凸起部之间形成有可供流体通过的沟槽,所述沟槽的开口部的口径大于0但小于混杂于待处理的流体内的选定颗粒的粒径,以及,其中 至少两个凸起部分别与所述第一流体通道的流体入口的相背对的两侧相邻设置,至少一个凸起部直接从所述第一流体通道的流体入口上通过,从而使所述复数个凸起部与基体之间配合形成与所述第一流体通道连通的第二流体通道,且待处理的流体仅能通过所述第二流体通道进入第一流体通道;

流体阻挡部,具有与所述基体的第一表面相对设置的第二表面,所述第一流体通道的流体入口分布在所述流体阻挡部于所述基体的第一表面上形成的正投影内,所述复数个凸起部具有相背对的第一端和第二端,所述第一端与所述基体的第一表面密封连接,第二端的局部区域与所述流体阻挡部的第二表面密封连接;

所述复数个凸起部平行分布在所述基体的第一表面上。

6.根据权利要求5所述的流体处理装置,其特征在于:形成于相邻凸起部之间的沟槽的开口部的尺寸为1nm~50um;和/或,所述第一流体通道的孔径为1μm~1mm;和/或,所述基体的厚度在1μm以上;和/或,所述流体阻挡部的厚度为0.5μm~200μm。

7.根据权利要求5所述的流体处理装置,其特征在于:所述凸起部表面还设置有功能材料层,所述功能材料层的材质包括光催化材料或抗菌材料。

8.根据权利要求5所述的流体处理装置,其特征在于:所述基体、流体阻挡部、凸起部中的至少一者的至少局部为透明结构。

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