[发明专利]一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法有效
| 申请号： | 201610404060.9 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105895579B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 孙其梁;陈巧;王伟;丁金玲;谢会开 | 申请（专利权）人： | 无锡微奥科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 214035 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 衬底 tsv 加工 方法 | ||
1.一种基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，选择底硅层厚度大于等于TSV圆片厚度的SOI圆片，并将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度；
步骤2，在SOI圆片的底硅层表面光刻出所需的TSV盲孔图形；
步骤3，在SOI圆片的底硅层表面沿步骤2光刻出的TSV盲孔图形刻蚀出TSV盲孔至SOI圆片的氧埋层停止；
步骤4，在SOI圆片的底硅层表面依次淀积绝缘层、阻挡层和种子层，在淀积后的表面和TSV盲孔的内壁电镀一层金属铜，形成TSV互连；
步骤5，去除SOI圆片的顶硅层；
步骤6，在去除了顶硅层后剩下的氧埋层表面光刻出TSV通孔图形，并沿TSV通孔图形刻蚀出TSV通孔至步骤4金属铜层停止，且TSV通孔的孔径小于TSV盲孔的孔径；
步骤7，在氧埋层表面淀积或电镀一层导电材料，图形化并刻蚀形成电连线，从而完成TSV圆片的加工。
2.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤1所述将SOI圆片的底硅层厚度减到TSV圆片厚度的方法为减薄和抛光方法。
3.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤3所述刻蚀出TSV盲孔的工艺为硅深槽刻蚀工艺。
4.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤5所述去除SOI圆片的顶硅层的方法为通过湿法TMAH或者KOH硅腐蚀液去除。
5.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤5所述去除SOI圆片的顶硅层的方法为干法DRIE。
6.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤6所述刻蚀出TSV通孔的方式为湿法BOE或者干法ICP方式。
7.根据权利要求1所述基于SOI衬底的TSV圆片的加工方法，其特征在于，步骤7所述导电材料为金属铜、铝、钛或金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
