[发明专利]一种ZSM-51分子筛的合成方法及所合成的ZSM-51分子筛有效
| 申请号： | 201610404906.9 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107473239B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 祝进成;王永睿;慕旭宏;陈俊文;刘松霖;舒兴田;杨吉春;刘长令 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 11447 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 周建秋;王浩然<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100728北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zsm 51 分子筛 合成 方法 | ||
1.一种ZSM-51分子筛的合成方法，该合成方法包括：
a、将四乙基氢氧化铵、铝源、三甲基乙基溴化铵、水和硅源混合，得到待晶化混合物；其中，所述待晶化混合物中，SiO2/Al2O3＝(10-100)：1，BA/SiO2＝(0.01-2)：1，H2O/SiO2＝(5-50)：1，R/SiO2＝(0.05-0.5)：1，M2O/SiO2＝(0.05-0.3)：1，所述BA为四乙基氢氧化铵，所述R为三甲基乙基溴化铵，所述M2O为碱金属氧化物；
b、将步骤a中所得待晶化混合物依次进行第一段水热晶化处理和第二段水热晶化处理，将晶化后所得固体洗涤、干燥；其中，所述第一段水热晶化处理的条件包括：晶化温度为80-140℃，晶化时间为1-7天，晶化压力为自生压力；所述第二段水热晶化处理的条件包括：晶化温度为150-200℃，晶化时间为5-14天，晶化压力为自生压力。
2.根据权利要求1所述的合成方法，其中，所述待晶化混合物中，SiO2/Al2O3＝(20-50)：1，BA/SiO2＝(0.5-1.8)：1，H2O/SiO2＝(20-45)：1，R/SiO2＝(0.05-0.35)：1，M2O/SiO2＝(0.05-0.2)：1。
3.根据权利要求1所述的合成方法，其中，所述铝源为氯化铝、硫酸铝、氢氧化铝、偏铝酸钠或铝溶胶。
4.根据权利要求1所述的合成方法，其中，所述硅源为硅溶胶、硅胶粉、正硅酸乙酯、水玻璃或白炭黑。
5.根据权利要求1所述的合成方法，其中，所述M2O为氧化钠。
6.根据权利要求1所述的合成方法，其中，所述第一段水热晶化处理的条件包括：晶化温度为110-140℃，晶化时间为2-6天；所述第二段水热晶化处理的条件包括：晶化温度为150-180℃，晶化时间为5-12天。
7.权利要求1-6中任意一项所述的合成方法所合成的ZSM-51分子筛具有梭形形貌。
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