[发明专利]芯片的制备方法及刻蚀方法

说明书

本发明揭示了一种芯片的制备方法及刻蚀方法。所述芯片的制备方法包括提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同。由此实现了更多芯片共用一个晶圆，可以节约生产资源，降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种芯片的制备方法及刻蚀方法。

背景技术

MPW(Multi-Project Wafer，多项目晶圆)就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一圆片上流片，按面积分担流片费用，以减少开发成本和新产品开发风险，降低中小集成电路设计企业在起步时的门槛，避免单次实验流片造成的资源严重浪费。

一个MPW通常包含多个产品，其特点是每一个产品的每一个芯片(chip)都有或多或少的差异，这些差异主要有：

1)制程的差异，例如金属层数量要求不同，离子注入层数的要求不同。

2)顶层金属(Top Metal)的厚度要求不同，例如有约左右的厚度，还有厚大于的情况。

3)芯片减薄厚度不同。

由于存在以上差异，导致不同产品共享一个晶圆的可能性大为降低。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种芯片的制备方法，尽可能提高不同产品共用同一个晶圆的机会。

本发明的另一个目的在于提高一种刻蚀方法，提高工艺兼容性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；

在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；

对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同；其中，M、N均为大于等于2的正整数。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，每次刻蚀包括：

在所述衬底的背面进行曝光显影，暴露出所述目标厚度相同的芯片单元所对应的衬底；

刻蚀暴露出的所对应的衬底至目标厚度。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，所述目标厚度为1mil-30mil。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，若同一目标厚度的芯片单元具有多个，采用多重曝光工艺。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，所述衬底包括多个曝光单元，每个曝光单元中皆包括多个所述芯片单元。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，在一所述衬底上形成M个芯片单元后获得一多项目晶圆。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，采用深反应离子蚀刻技术刻蚀暴露出的所对应的衬底。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，刻蚀所述芯片单元还包括：采用刻蚀平坦化技术处理刻蚀后的芯片单元。

可选的，对于所述的芯片的制备方法，在形成M个芯片单元后，对所述衬底的背面进行N次刻蚀之前，还包括：

在所述衬底自正面贴上封装带。