[发明专利]调节光刻胶层厚度值的方法和系统有效
申请号: | 201610407448.4 | 申请日: | 2016-06-12 |
公开(公告)号: | CN107492503B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 调节 光刻 厚度 方法 系统 | ||
一种调节光刻胶层厚度值的方法和系统,所述方法包括:获得多种光刻胶层的不同厚度值以及与厚度值对应的光刻胶涂布机台转速值;将多种光刻胶层的各厚度值分为多个厚度区间,获得与各厚度区间对应的厚度值与光刻胶涂布机台转速值的关系式,并根据关系式获得关系式系数的计算公式;形成与光刻胶类型和厚度区间相对应的系数表;涂布光刻胶层时,根据光刻胶层的类型和目标厚度值从系数表中获得对应的关系式系数,并计算出与目标厚度值对应的调节转速值。本发明通过形成系数表,在涂布光刻胶层时,可以根据光刻胶层种类和目标厚度值,选取相应厚度区间对应的关系式系数和关系式,计算出与目标厚度值对应的调节转速值,调节光刻胶层厚度值的精准度较高。
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种调节光刻胶层厚度值的方法和系统。
背景技术
随着超大集成电路的不断发展,电路设计越来越复杂、特征尺寸越来越小,电路的特征尺寸对器件性能的影响也越来越大。其中,光刻是半导体制造过程中一道重要的工艺,它是一种将掩膜板上的图形通过曝光转移到晶圆上的工艺过程。
在光刻工艺中,光刻胶层是必不可少的材料之一,用于在离子注入工艺或刻蚀工艺中定义图形,以保护非蚀刻区域或非离子注入区域,光刻胶层厚度值的精确是保证图形关键性尺寸(Critical Dimension,CD)精准的前提。为了满足关键尺寸的要求,对光刻胶层的厚度值控制的要求越来越高。
但是,现有技术对光刻胶层厚度值的控制精准度有待提高。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种调节光刻胶层厚度值的方法和系统,提高光刻胶层厚度值的控制精准度。
为解决上述问题,本发明提供一种调节光刻胶层厚度值的方法,用于在通过光刻胶涂布机台涂布多种光刻胶层时进行厚度调节。包括如下步骤:获得多种光刻胶层的不同厚度值以及与厚度值相对应的光刻胶涂布机台转速值;将多种光刻胶层的各厚度值分为多个厚度区间,获得与各厚度区间相对应的厚度值与光刻胶涂布机台转速值的关系式,并根据所述关系式获得关系式系数的计算公式;根据所述关系式获得光刻胶层厚度值与光刻胶涂布机台转速值的关系式系数,形成与光刻胶类型和厚度区间相对应的系数表;通过光刻胶涂布机台涂布多种光刻胶层时,根据光刻胶层的类型和目标厚度值从所述系数表中获得对应的关系式系数,根据所述关系式系数获得关系式并计算出与目标厚度值对应的调节转速值,根据所述调节转速值进行光刻胶层涂布;在通过调节转速值进行光刻胶层涂布过程中,测量光刻胶层厚度值,并判断所述光刻胶层厚度是否满足设计规格;在光刻胶层厚度值满足设计规格时,继续进行光刻胶层涂布;在光刻胶层厚度值不满足设计规格时停止光刻胶层涂布,并重新进行厚度值和光刻胶涂布机台转速值的测量,并通过关系式系数的计算公式重新获得关系式系数以更新关系式系数表。
相应的,本发明还提供一种调节光刻胶层厚度值的系统,用于在通过光刻胶涂布机台涂布多种光刻胶层时进行厚度调节,包括:建模模块,用于获得多种光刻胶层的不同厚度值以及与厚度值相对应的光刻胶涂布机台转速值;还用于将多种光刻胶层的各厚度值分为多个厚度区间,并获得与各厚度区间相对应的厚度值与光刻胶涂布机台转速值关系式;分类模块,用于根据所述关系式获得光刻胶层厚度值与光刻胶涂布机台转速值的关系式系数,形成与光刻胶类型和厚度区间相对应的系数表,还用于根据所述关系式,获得关系式系数的计算公式;调节模块,用于通过光刻胶涂布机台涂布多种光刻胶层时,根据光刻胶层类型和目标厚度从所述系数表中获得对应的关系式系数,根据所述关系式系数获得关系式并计算出与目标厚度值对应的调节转速值,根据所述调节转速值进行光刻胶层涂布;还用于在通过调节转速值进行光刻胶层涂布过程中,测量光刻胶层厚度,并判断所述光刻胶层厚度是否满足设计规格;在光刻胶层厚度满足设计规格时,继续进行光刻胶层涂布;在光刻胶层厚度不满足设计规格时停止光刻胶层涂布,并重新进行厚度值和光刻胶涂布机台转速值的测量,并通过关系式系数的计算公式重新获得关系式系数以更新关系式系数表。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610407448.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:鳍式场效应管的形成方法
- 下一篇:制造半导体封装的方法和用于其的载带膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造