[发明专利]掩膜版图形的修正方法

说明书

一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对第一图形区进行光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于第一主修正图形区外围的第一内边带区；对第二图形区进行光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，内边带区中具有目标图形；对内边带区中的目标图形进行光学邻近效应修正，形成目标修正图形。所述的掩膜版图形的修正方法能够减小形成的修正图形的畸变。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图案，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。

目前工业界普遍采用的方法是在传统的物理设计与掩膜版制造间加入成品率驱动的掩膜版矫正，在这一步骤中，通过改变掩膜版上图形的形状或者图形透光的相位来弥补光刻工艺中产生的光刻图形的变形，使得芯片上光刻得到的图形与预期的图形基本符合。这种掩膜版图形的补偿机制称为光刻增强技术(RET：reticle enhancementtechnology)。常用的两种方法是光学邻近效应修正方法(optical proximitycorrection，OPC)和相位转移掩膜(phase shift mask，PSM)，其中OPC是一种有效的光刻增强技术。

光学邻近效应修正技术通常分为两大类：基于规则的技术和基于模型的技术。基于规则的方法需要事先建立矫正规则数据库，实际处理中只需通过查找数据库便可以得到矫正数据，实现对掩膜版图形的矫正，因此这种方法在处理大规模集成电路版图时速度快，功能强；基于模型的方法需要事先选择适当的光学模型，实际处理中利用光学模型模拟光刻成像的过程，实现对掩膜版图形的矫正，因此这种方法需要消耗较多的时间和空间，但是矫正结果的精确度较高。

然而，所述的掩膜版图形的修正方法形成的光刻图案容易发生畸变。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种掩膜版图形的修正方法，能够减小形成的光刻图案的畸变。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对所述第一图形区进行第一光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，所述第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于所述第一主修正图形区外围的第一内边带区；对所述第二图形区进行第二光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，所述第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对所述第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，所述第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，所述内边带区中具有目标图形；对所述内边带区中的目标图形进行第三光学邻近效应修正，形成目标修正图形。