[发明专利]提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法及试剂

权利要求书

1.一种提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于包括：

将单壁碳纳米管样品、第一聚合物和第二聚合物于溶剂中均匀混合形成液相混合体系，并使单壁碳纳米管样品在所述液相混合体系中充分分散，之后对所述液相混合体系进行离心处理，分离出上清液，实现半导体性单壁碳纳米管的选择性分离，其中，所述第一聚合物选自聚咔唑，所述第二聚合物选自聚噻吩、芴与噻吩共聚物中的任意一种，所述第一聚合物、第二聚合物与单壁碳纳米管样品三者的质量比为2：2：1，所述第一聚合物和第二聚合物在所述液相混合体系中的浓度为0.2~1.0 mg/ml；

其中，所述第一聚合物和第二聚合物均能溶于所述溶剂，并均能与半导体性单壁碳纳米管特异性结合，且所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度，而所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度小于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度。

2.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：所述溶剂包括非极性溶剂，所述非极性溶剂选自甲苯、环己烷中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的提高选择性分散半导体性碳纳米管产率的方法，其特征在于：所述上清液中所含半导体性单壁碳纳米管的纯度为99%~99.9%。

4.一种半导体性碳纳米管的选择性分离试剂，其特征在于包含能够在选定液相环境中与半导体性单壁碳纳米管特异性结合的第一聚合物和第二聚合物，且所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度大于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合速度，而所述第一聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度小于所述第二聚合物与半导体性单壁碳纳米管的结合强度；所述选定液相环境包括第一聚合物和第二聚合物的混合溶液，其中，所述第一聚合物选自聚咔唑，所述第二聚合物选自聚噻吩、芴与噻吩共聚物中的任意一种，所述第一聚合物和第二聚合物的质量比为1：1。