[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供包括NMOS区域的衬底、位于衬底上分立的鳍部，所述衬底上形成有覆盖鳍部侧壁的隔离层，所述隔离层顶部低于鳍部顶部，且所述隔离层上形成有层间介质层，其中，所述NMOS区域的层间介质层内形成有第一开口，所述第一开口横跨NMOS区域的鳍部，且暴露出NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁，所述第一开口的底部与侧壁之间具有拐角区域；

在所述第一开口底部和侧壁上形成高k栅介质层，所述高k栅介质层还位于所述暴露出的NMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁上；

在所述高k栅介质层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成N型功函数层，所述N型功函数层内含有Al离子；

对所述N型功函数层进行回流退火处理，所述回流退火处理适于使位于所述拐角区域的N型功函数层厚度变厚，且还适于使所述拐角区域的N型功函数层内的Al离子向所述阻挡层内扩散；

在进行所述回流退火处理之后，在所述N型功函数层上形成填充满所述第一开口的金属层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，高于所述隔离层顶部表面的鳍部包括：鳍部底部区域、以及位于鳍部底部区域上方的鳍部顶部区域；其中，所述回流退火处理还适于使位于所述鳍部底部区域侧壁上的N型功函数层的厚度变薄。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述回流退火处理之前，位于所述鳍部底部区域侧壁上的N型功函数层的厚度为33埃～88埃；在进行所述回流退火处理之后，位于所述鳍部底部区域侧壁上的N型功函数层的厚度为30埃～80埃。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，相邻鳍部之间的隔离层顶部表面为下凹弧形表面。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述回流退火处理的工艺参数包括：退火温度为100℃～300℃，退火时长为10min～120min。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述N型功函数层的材料为TiAl、TiAlC、TiAlN或AlN。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述回流退火处理之前，所述N型功函数层的厚度为33埃～88埃。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为TiN或TaN。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在进行所述回流退火处理之前，所述阻挡层的厚度为10埃～20埃。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，高于所述隔离层的鳍部底部宽度尺寸大于所述鳍部顶部宽度尺寸。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括PMOS区域，所述PMOS区域的层间介质层内形成有第二开口，所述第二开口横跨所述PMOS区域的鳍部，且暴露出PMOS区域的鳍部的部分顶部和侧壁。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二开口底部和侧壁上还形成有高k栅介质层；所述第二开口内的高k栅介质层上还形成有P型功函数层；且所述金属层还位于所述P型功函数层上且填充满所述第二开口。