[发明专利]一种带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路

权利要求书

1.一种带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于包括：

功率放大器主体电路(101)，包含输出级功率晶体管；

功率检测电路(102)，其输入端与输出级功率晶体管的输入端相连；以及

驻波保护电路(103)，其一端与输出级功率晶体管的输入端相连，另一端与功率检测电路(102)的输出端相连，驻波保护电路(103)用于在所述输出级功率晶体管临界击穿时开启，对功率放大器主体电路中的电压或电流进行分流。

2.一种带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述驻波保护电路(103)包括一场效应晶体管，该场效应晶体管的栅极连接至所述功率检测电路(102)的输出端，漏极连接所述输出级功率晶体管的输入端。

3.根据权利要求2所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述功率检测电路(102)的输出端与场效应晶体管的栅极之间还连接一个二极管或多个串联的二极管。

4.根据权利要求2所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述功率检测电路(102)还包括分压电阻R₁，其一端连接场效应晶体管的栅极，另一端接地。

5.根据权利要求2所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述驻波保护电路(103)中还包括箝位保护电路，箝位保护电路与所述场效应管的源极连接。

6.根据权利要求5所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述箝位保护电路包括双极型晶体管Q₁、电阻R₂和电阻R₃，双极型晶体管Q₁的基极与电阻R₂和电阻R₃的一端连接，双极型晶体管Q₁的基极和电阻R₃的另一端分别接地，双极型晶体管Q₁的集电极和电阻R₂的另一端连接至所述场效应晶体管的源极。

7.根据权利要求6所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述驻波保护电路(103)还包括一滤波电容，其一端连接所述双极型晶体管Q₁的基极，另一端接地。

8.根据权利要求2所述的带有驻波自动保护功能的射频功率放大器电路，其特征在于，所述功率检测电路(102)的输出端与场效应晶体管的栅极之间还连接有调节电阻R₄。