[发明专利]一种锰掺杂锑酸铈发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种锰掺杂锑酸铈发光材料，其特征在于：其化学式为CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺，其中0.01≤x≤0.08。

2.根据权利要求1所述的锰掺杂锑酸铈发光材料，其特征在于，x为0.05。

3.一种锰掺杂锑酸铈发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、根据CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺各元素的化学计量比称取CeO₂，Sb₂O₅，MnO₂粉体并混合均匀，其中0.01≤x≤0.08；

步骤二、将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到所述锰掺杂锑酸铈发光材料。

4.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光材料的制备方法，其特征在于，x为0.05。

5.根据权利要求3所述的锰掺杂锑酸铈发光材料的制备方法，其特征在于，步骤二中将混合均匀的粉体在1250℃下烧结3小时。

6.一种锰掺杂锑酸铈发光薄膜，其特征在于，该锰掺杂锑酸铈发光薄膜的材料的化学通式为CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺，其中CeSb₅O₁₄是基质，Mn⁴⁺离子是激活元素，0.01≤x≤0.08。

7.根据权利要求6所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜，其特征在于，x为0.05。

8.一种锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、根据CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺各元素化学计量比称取CeO₂，Sb₂O₅，MnO₂粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.01≤x≤0.08；

步骤二、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

步骤三、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45nm～90mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，氩气工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；

步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h，得到所述锰掺杂锑酸铈发光薄膜。

9.根据权利要求8所述的锰掺杂锑酸铈发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中x为0.05；步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，氩气工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃；步骤四中，薄膜样品于600℃下真空退火处理2h。

10.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为锰掺杂锑酸铈发光材料，该锰掺杂锑酸铈发光材料的化学式为CeSb₅O₁₄：xMn⁴⁺，其中0.01≤x≤0.08。