[发明专利]CMOS图像传感器的鳍式场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201610418700.1 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107492500B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
形成至少三个相邻的凸起结构，中间凸起结构定义为沟道区域，周边凸起结构为辅助凸起结构；填充介质层覆盖凸起结构；
刻蚀所述中间凸起结构与辅助凸起结构之间的区域，形成凹槽；
形成栅极氧化物层，并填充多晶硅层于凹槽中，并刻蚀多晶硅层，形成栅极区域；
在形成所述栅极区域之后，刻蚀去除所述辅助凸起结构。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤还包括：形成氮化物层，所述氮化物层于刻蚀形成凹槽的步骤中起到硬掩膜的作用。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述中间凸起结构的侧面坡度为：大于等于75度小于等于90度。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，刻蚀多晶硅层和刻蚀去除所述辅助凸起结构采用同一块掩膜。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，刻蚀多晶硅层和刻蚀去除所述辅助凸起结构分别采用不同的掩膜。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形状、结构对称。
7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的鳍形场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述沟道区域周围的多晶硅层的形状、深度、宽度对称。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
