[发明专利]一种由氯化铜和氯化镓制备铜镓硒光电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610419906.6 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106057930A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘科高;王志刚;吴海洋;李静;石磊 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氯化铜 氯化 制备 铜镓硒 光电 薄膜 方法 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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