[发明专利]鳍式场效应管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括有效区、位于所述有效区相对两侧的第一边缘区，所述基底还包括位于所述第一边缘区一侧的第二边缘区，其中，所述第二边缘区和所述有效区分别位于所述第一边缘区相对两侧，且有效区、第一边缘区以及第二边缘区基底上形成有分立的鳍部；

在所述有效区鳍部和基底上、以及第一边缘区鳍部和基底上形成第一图形层；

以所述第一图形层为掩膜，刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部；

去除所述第一图形层；

在所述有效区鳍部和基底上形成第二图形层；

以所述第二图形层为掩膜，刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部，且所述第二厚度小于第一厚度；

去除所述第二图形层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除第二边缘区第一厚度的鳍部以及刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部之后，还包括步骤：在所述基底上形成位于有效区鳍部侧壁上以及第一边缘区剩余鳍部侧壁上的隔离层，且所述隔离层顶部低于所述有效区鳍部顶部。

3.如权利要求2所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述隔离层还位于第一边缘区剩余鳍部侧壁上，且所述隔离层顶部高于所述第一边缘区剩余鳍部顶部、或与所述第一边缘区剩余鳍部顶部齐平。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除所述第一边缘区第二厚度的鳍部之后，第一边缘区剩余鳍部的厚度为刻蚀前第一边缘区的鳍部厚度的1/5至2/3。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体包括CF₄、Si₂F₆、HCl、HBr、Cl₂、He、Ar或N₂，刻蚀气体流量均为40sccm至80sccm，刻蚀反应腔室压强为5毫托至50毫托，刻蚀功率为200瓦至2000瓦，刻蚀反应腔室温度为20度至80度。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部的刻蚀速率为第一刻蚀速率；刻蚀去除所述第一边缘区第二厚度的鳍部的刻蚀速率为第二刻蚀速率，且所述第二刻蚀速率等于第一刻蚀速率。

8.如权利要求7所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部的刻蚀时长为第一时长；刻蚀去除所述第一边缘区第二厚度的鳍部的刻蚀时长为第二时长，且所述第二时长小于第一时长。

9.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部的工艺包括，刻蚀去除所述第二边缘区全部厚度的鳍部，直至露出第二边缘区的基底。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二边缘区第一厚度的鳍部的工艺包括，刻蚀去除所述第二边缘区部分厚度的鳍部；在刻蚀去除第二边缘区第一厚度的鳍部以及刻蚀去除第一边缘区第二厚度的鳍部之后，还包括步骤：在所述基底上形成位于有效区鳍部侧壁上以及第一边缘区剩余鳍部侧壁上、第二边缘区剩余鳍部侧壁上的隔离层，且形成的所述隔离层顶部高于所述第二边缘区剩余鳍部顶部。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在平行于鳍部排列方向上，所述基底上的相邻鳍部之间的距离相等。

12.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在平行于鳍部排列方向上，所述基底上的相邻鳍部之间的距离为5埃～100埃。