[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

权利要求书

1.一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4-2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于-0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于-0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层；所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.161dB/km。

2.按权利要求1所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率Δn2为-0.18～-0.40％。

3.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的下陷内包层为掺氟的二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn3为-0.40～-0.61％。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的辅助外包层为掺氟的二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为-0.18～-0.47％。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的有效面积为100～145μm²。

6.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.160dB/km。

7.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点小于等于1300nm。

9.按权利要求8所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。