[发明专利]一种高方阻太阳能电池的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种高方阻太阳能电池的制作方法。

背景技术

晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。随着技术的进步，晶硅电池的转换效率也得到了很大的提升，例如选择性发射极电池、IBC电池等，在制作选择性发射极的方法中，一种方法是在方阻较高的硅片上进行区域性重掺杂，从而使硅片表面形成重掺杂区和轻掺杂区，选择性发射极可以提高太阳电池的开路电压Voc，短路电流Isc，使电池获得高的光电转换效率。

现有高方阻硅片的制作方法有离子注入法、管式扩散法等。

离子注入选择性发射极电池的工艺流程为：硅片制绒、离子注入高方阻PN结、PN结印刷磷浆料、高温推进、形成重掺杂区、制作氮化硅膜、印刷、烧结、测试。可以看出现有的制作高方阻硅片工序较多，该方法制作的高方阻硅片均匀性较好，但是该方法离子注入设备非常昂贵，大量制作会产生较高的设备维护费用。

管式扩散选择性发射极电池的工艺流程为：硅片制绒、PN结印刷磷浆料、形成重掺杂区、管式扩散制作高方阻PN结、同时高温推进重掺杂区、湿法刻蚀清洗、制作氮化硅膜、印刷、烧结、测试。管式扩散设备较便宜，也可以大量生产，但是管式扩散设备在设计上存在不可改变的缺陷，制作的高方阻硅片均匀性很差，对后续太阳能电池的参数造成影响。怎样把这些新技术应用到大规模的生产中是我们现阶段研究的重点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高方阻太阳能电池的制作方法，该方法制作工艺简单、设备投资及设备维护费用低、制作成本低，并能够制作均匀的高方阻硅片，提高光电转换效率，适于大规模生产。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种高方阻太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：

A、按比例配置混合酸水溶液；混合酸水溶液为硝酸和氟化物的水溶液，占总溶液的体积配比为硝酸50%-65%，氟化物0.3-1.5%；

B、把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的硅片放入混合酸水溶液中进行清洗；

C、然后再把硅片放入纯水中清洗；

D、烘干。

其中，混合酸水溶液采用65%的硝酸溶液和40%的氟化物溶液配制而成。

步骤A中所述的氟化物为氟化氢铵或氟化钠中的一种。

步骤B中，清洗时间为2-8分钟，清洗过程要求放置混合酸水溶液的槽中不伴随鼓泡，温度控制在15-25度。

步骤C中，清洗2-8分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡，纯水的温度控制在20-25度。

步骤D中，烘干温度70-80度，时间15-20分钟。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于：利用本发明制作的高方阻硅片，硅片均匀性好、制作工艺简单、技术要求低，无需昂贵的设备及较大的设备维护费，制作成本低，可以大规模的应用到高效晶硅太阳能电池的制作中。

具体实施方式

为了更好的理解本发明设计构思，下面结合具体实施例来说明本发明的技术方案，但本发明并不局限于此。

本发明的基本方案为：混合酸水溶液浓度按方阻要求配置，溶液含有氟化物、硝酸等，假设溶液总量是1，那么硝酸配比范围是50%-65%，氟化氢铵的配比范围是0.3-1.5%，本发明混合酸水溶液是使用浓度为65%的硝酸溶液和浓度40%的氟化物的溶液配制而成，其中氟化物如氟化钠、氟化氢铵等；然后把去除磷硅玻璃或硼硅玻璃的晶硅类产品放入配置好的混合酸水溶液中，进行清洗，清洗时间2-8分钟，清洗过程要求槽中不伴随鼓泡，温度控制在15-25度；然后把硅片再放入纯水中清洗2-8分钟，清洗过程要求在带有超声的槽中进行且伴随鼓泡，纯水的温度控制在20-25度；最后把硅片再放入烘干槽中进行烘干，烘干温度70-80度，时间15-20分钟，烘干后即可得到相应的均匀的高方阻硅片。

其中，在混合酸水溶液中不伴随鼓泡，是为了避免反应过于迅速剧烈，清洗不均匀而会损坏硅片；而在纯水中伴随鼓泡，利于清洗干净，另外，采用带有超声的槽，能够提供振动，利于硅片清洗干净。

下面列举三个具体实施例以详细解释本发明的技术方案

实施例一