[发明专利]焊垫结构及CSP封装方法

权利要求书

1.一种焊垫结构，位于一芯片内，包含衬底，依次位于所述衬底之上的底层的金属层、多层中间的金属层以及顶层的金属层，其特征在于，从所述底层的金属层开始，各层所述金属层至所述芯片边缘的距离依次减小，形成阶梯状结构。

2.如权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于，从所述底层的金属层开始，各层所述金属层的横截面积依次增大。

3.如权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于，还包括层间介质层，位于所述各层金属层之间以及所述底层的金属层与衬底之间。

4.如权利要求3所述的焊垫结构，其特征在于，还包括钝化层，覆盖所述顶层的金属层，并且暴露出一部分所述顶层的金属层。

5.如权利要求4所述的焊垫结构，其特征在于，相邻的各层所述金属层之间通过接触孔相连通。

6.如权利要求5所述的焊垫结构，其特征在于，所述焊垫结构通过所述底层的金属层与芯片的内部电路结构相连接。

7.一种CSP封装方法，对芯片进行封装，其特征在于，所述芯片包含有如权利要求1～6中任一项所述的焊垫结构，所述封装方法包括以下步骤：

步骤S01：对所述芯片边缘的焊垫结构的背部进行刻蚀，暴露出呈阶梯状的各层金属层；

步骤S02：在所述芯片背部依次形成绝缘层、第二金属层以及保护层。

8.如权利要求7所述的CSP封装方法，其特征在于，在步骤S01中，首先对所述焊垫结构背部的衬底进行刻蚀，暴露出层间介质层；然后对所述层间介质层进行刻蚀，暴露出呈阶梯状的各层金属层。

9.如权利要求8所述的CSP封装方法，其特征在于，通过刻蚀在所述衬底上形成沟槽，所述沟槽底部停止于所述焊垫结构底部的层间介质层上。

10.如权利要求7所述的CSP封装方法，其特征在于，在步骤S02中，形成所述绝缘层之后，通过光刻和刻蚀暴露出所述焊垫结构中的各层金属层。

11.如权利要求10所述的CSP封装方法，其特征在于，在步骤S02中，形成所述第二金属层之后，通过光刻与刻蚀形成图案化的第二金属层。

12.如权利要求11所述的CSP封装方法，其特征在于，在步骤S02中，形成所述保护层之后，进行光刻与刻蚀，在所述保护层上形成至少一个通孔。

13.如权利要求12所述的CSP封装方法，其特征在于，还包括步骤S03，在所述保护层的通孔内设置焊球与所述第二金属层相接触。