[发明专利]一种负电压产生电路及集成芯片有效
申请号: | 201610424170.1 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN105929885B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 朱奇良;简卫;张欣 | 申请(专利权)人: | 深圳市飞仙智能科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 产生 电路 集成 芯片 | ||
1.一种负电压产生电路,包括负电压产生模块、第一输出模块及第一稳压电容;所述负电压产生模块的第一电源端、第二电源端及第三电源端分别接第一电源、第二电源及第三电源,所述负电压产生模块用于产生负电压,所述第一输出模块用于将所述负电压进行输出;所述第一输出模块包括交叉耦合的第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极共接于所述负电压产生模块的第一输出端,所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极共接于所述负电压产生模块的第二输出端,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极共接作为所述负电压的输出端,所述第一稳压电容接在所述第一NMOS管的源极和地之间;其特征在于,所述负电压产生电路还包括第二输出模块;
所述第二输出模块的第一输入端和第二输入端分别接所述负电压产生模块的第一输出端和第二输出端,所述第二输出模块的第一输出端和第二输出端分别接所述第一NMOS管的衬底和所述第二NMOS管的衬底;
所述第二输出模块将所述负电压输出至所述第一NMOS管的衬底和所述第二NMOS管的衬底,以使所述第一NMOS管的漏衬或源衬以及所述第二NMOS管的漏衬或源衬持续处于反偏状态。
2.如权利要求1所述的负电压产生电路,其特征在于,所述第二输出模块包括交叉耦合的第三NMOS管和第四NMOS管,所述第四NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极分别为所述第二输出模块的第一输入端和第二输入端,所述第三NMOS管的漏极接所述第四NMOS管的栅极,所述第四NMOS管的漏极接所述第三NMOS管的栅极,所述第三NMOS管的衬底和源极共接作为所述第二输出模块的第一输出端,所述第四NMOS管的衬底和源极共接作为所述第二输出模块的第二输出端。
3.如权利要求1所述的负电压产生电路,其特征在于,所述负电压产生电路还包括第二稳压模块,所述第二稳压模块的第一端同时接所述第二输出模块的第一输出端和第二输出端,所述第二稳压模块的第二端接地;
所述第二稳压模块用于稳定所述第二输出模块的第一输出端和第二输出端的电压。
4.如权利要求3所述的负电压产生电路,其特征在于,所述第二稳压模块为第二稳压电容,所述第二稳压电容的第一端和第二端分别为所述第二稳压模块的第一端和第二端。
5.如权利要求1所述的负电压产生电路,其特征在于,所述负电压产生模块包括时钟单元、第一充电单元、电荷泵单元及第二充电单元;
所述时钟单元的第一输出端和第二输出端分别接所述第一充电单元的第一时钟端和第二时钟端,所述第一充电单元的第一电源端和第二电源端分别为所述负电压产生模块的第一电源端和第二电源端,所述第一充电单元的第一输出端和第二输出端分别接所述电荷泵单元的第一输入端和第二输入端,所述电荷泵单元的第一输出端和第二输出端分别为所述负电压产生模块的第一输出端和第二输出端,所述电荷泵单元的第一输出端和第二输出端分别接所述第二充电单元的第一输入端和第二输入端,所述第二充电单元的电源端为所述负电压产生模块的第三电源端;
所述时钟单元用于产生一对非交叠时钟信号,所述第一充电单元和所述第二充电单元用于向所述电荷泵单元充电,所述电荷泵单元用于产生负电压。
6.如权利要求5所述的负电压产生电路,其特征在于,所述第一充电单元包括第一开关子单元和第二开关子单元;
所述第一开关子单元的输入端和输出端分别为所述第一充电单元的第一输入端和第一输出端,所述第二开关子单元的输入端和输出端分别为所述第一充电单元的第二输入端和第二输出端,所述第一开关子单元的第一电源端和所述第二开关子单元的第一电源端共接作为所述第一充电单元的第一电源端,所述第一开关子单元的第二电源端和所述第二开关子单元的第二电源端共接作为所述第一充电单元的第二电源端。
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