[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍部；

在所述初始鳍部和半导体衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面高于初始鳍部的顶部表面；

在所述牺牲层和初始鳍部中形成凹槽，所述凹槽将初始鳍部分割，形成位于凹槽两侧的第一鳍部和第二鳍部；

在所述凹槽中填充满隔离层后，去除所述牺牲层；

形成所述隔离层的方法包括：

在所述凹槽中形成第一子隔离层，所述第一子隔离层暴露出高于第一鳍部和第二鳍部顶部表面的牺牲层侧壁；

形成第一子隔离层后，沿着垂直于牺牲层侧壁的方向刻蚀去除所述凹槽侧壁的部分牺牲层；

沿着垂直于牺牲层侧壁的方向刻蚀去除所述凹槽侧壁的部分牺牲层后，在所述牺牲层的侧壁形成侧墙；

形成侧墙后，在所述凹槽中填充满第二子隔离层，所述第二子隔离层和第一子隔离层构成隔离层；

去除牺牲层后，去除所述侧墙。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为多晶硅或无定型碳。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的方法包括：

在所述凹槽中、以及牺牲层上形成隔离材料层；

去除高于牺牲层顶部表面的隔离材料层，从而在所述凹槽中形成隔离层。

5.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述隔离材料层的工艺为高密度等离子体沉积工艺或者流体化学气相沉积工艺。

6.根据权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层的过程中，所述牺牲层相对于隔离层的刻蚀选择比值为10～20。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层的过程中，牺牲层相对于侧墙的刻蚀选择比值为10～20；在去除所述侧墙的过程中，所述侧墙相对于所述隔离层的刻蚀选择比值为10～20。

8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅或者氮氧化硅。

9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，隔离层的顶部表面比第一鳍部和第二鳍部的顶部表面高20埃～100埃。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的工艺包括：

在所述牺牲层上形成第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜，采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀牺牲层和初始鳍部直至刻蚀到牺牲层的底部表面，形成凹槽。

11.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

在初始鳍部侧部的半导体衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述初始鳍部的顶部表面；

形成隔离结构后，在所述初始鳍部和隔离结构上形成所述牺牲层；

形成所述凹槽后，所述凹槽暴露出隔离结构的顶部表面。

12.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述隔离层上形成导电结构。

13.根据权利要求12所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成横跨第一鳍部的第一栅极结构；形成横跨第二鳍部的第二栅极结构。

14.根据权利要求13所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，同时形成导电结构、第一栅极结构和第二栅极结构。