[发明专利]一种增加演色性的白光LED结构制作方法有效
申请号: | 201610426652.0 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN105932137B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | 吴奇隆;张永;陈凯轩;李俊贤;陈亮 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/46 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 | 代理人: | 廖吉保,唐绍烈 |
地址: | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 演色性 白光 led 结构 制作方法 | ||
1.一种增加演色性的白光LED结构制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
一,在蓝光外延芯片正面进行ICP蚀刻至N-GaN表面,在N-GaN表面蒸镀N电极,在P-GaN上蒸镀铟锡氧化物,在铟锡氧化物上蒸镀P电极;
二,在红光四元外延芯片的GaP层上蒸镀p型欧姆接触材料形成P型欧姆接触层;
三,在蓝光外延芯片正面涂覆有机黏着胶,然后键合在暂时衬底上,研磨蓝光外延芯片背面的衬底,在研磨后的衬底上蒸镀氧化物材料形成DBR层,然后在DBR层上涂布有机黏着胶或无机黏着胶形成键合层后,再与四元外延芯片进行对位式键合,与四元外延芯片的P型欧姆接触层键合;
四,先将四元外延芯片的砷化镓衬底去除,再蒸镀形成N型欧姆接触层,在N型欧姆接触层上蒸镀反射镜,在反射镜上沉积隔绝层,对隔绝层进行穿孔分别至P型欧姆接触层和N型欧姆接触层,在穿孔中分别生长P型电极与P型欧姆接触层连接及N型电极与N型欧姆接触层连接;
五,将暂时衬底去除,裂片即得。
2.如权利要求1所述的一种增加演色性的白光LED结构制作方法,其特征在于,在形成P型欧姆接触层后,对GaP层进行表面粗化或表面图形化处理。
3.如权利要求1所述的一种增加演色性的白光LED结构制作方法,其特征在于,P型欧姆接触层为金铍合金、金锌合金或者铟锡氧化物。
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