[发明专利]一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610427274.8 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105957890A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 谢刚;侯明辰;李雪阳;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 增强 algan gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
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