[发明专利]一种在金属基底上制备微同轴金属结构的方法

权利要求书

1.一种在铜基底上制备微同轴金属结构的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

在铜基底上涂覆一层厚度约为50μm的KMPR光刻胶；将涂覆KMPR负性光刻胶的铜基片置于玻璃材质、厚度为3mm的镀铬掩膜版下，使用波长约为365纳米的紫外光曝光；将铜基片浸没在TMAH显影液中显影，得到微同轴金属结构的金属底层的胶膜结构；将胶膜结构置于由9080g无水硫酸铜、1283ml硫酸、4ml盐酸以及76g十二水硫酸铝钾混合配制的电铸液中，在32.2℃的电铸温度下进行微电铸，得到微同轴金属结构的微电铸铜金属底层；用PG去胶剂完全去除铜基片上的KMPR胶膜，获得微同轴金属结构的最底层铜底层；

在铜底层上涂覆一层30μm厚的SU-8光刻胶；将涂覆SU-8光刻胶的铜基片置于刻有支撑体图案、玻璃材质、厚度为3mm的镀铬掩膜版下，用波长约为365nm的紫外光曝光；将铜基片浸没在PGMEA显影液内超声显影，获得SU-8支撑体；在SU-8支撑体上涂覆50μm厚的KMPR负性光刻胶，将涂覆KMPR负性光刻胶的铜基片置于刻有内轴图案、玻璃材质、厚度为3mm的镀铬掩膜版下，使用波长约为365nm的紫外光曝光；将基片浸没在TMAH中显影，得到内轴的胶膜结构；将铜基片置于由9080g无水硫酸铜、1283ml的硫酸、4ml盐酸以及76g十二水硫酸铝钾混合配制的电铸液中，在32.2℃的电铸温度下进行微电铸，得到微同轴金属结构的微电铸铜金属内轴；

将铜金属基底上所有的KMPR负性光刻胶用PG去胶剂完全剥离，获得三层微结构，即从下至上依次为铜底层、SU-8支撑体和铜内轴；在包含三层微结构的铜基片上涂覆210微米厚的KMPR负性光刻胶，将涂覆KMPR负性光刻胶的铜基片置于刻有U型铜外壳图案、玻璃材质、厚度为3mm的镀铬掩膜版下，使用波长约为365nm的紫外光曝光；将铜基片浸没在TMAH中显影，得U型铜外壳的胶膜结构；将含有胶膜结构的铜基片置于由9080g无水硫酸铜、1283ml硫酸、4ml盐酸以及76g十二水硫酸铝钾混合配制的电铸液内，在32.2℃的电铸温度下进行微电铸，得到微同轴金属结构的U型铜外壳；用PG去胶剂完全去除铜基片上的KMPR胶膜，获得U型铜外壳，即得到所需微同轴金属结构。