[发明专利]一种高效率晶体硅太阳电池

权利要求书

1.一种高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，包括依次叠置的上电极、钝化减反射SiN层、磷扩散层、基体晶体硅片、铝的扩散层、调节层和下电极；

所述调节层包括：

介质材料和/或导电膜膜材料；

或量子阱材料；

所述高效率晶体硅太阳电池的制备包括以下步骤：

第一步：清洗基体晶体硅片，并对其双面制绒；

第二步：利用三氯氧磷扩散的方法在基体晶体硅片制备磷扩散层；

第三步：利用化学气相沉积方法在磷扩散层背离基体晶体硅片的一侧沉积钝化减反射SiN层；

第四步：利用磁控溅射或化学气相沉积方法或原子层沉积技术在晶体硅片背离磷扩散层的一侧沉积调节层；

第五步：在钝化减反射SiN层背离磷扩散层的一侧印刷制备上电极，在调节层背离基体晶体硅片的一侧印刷制备下电极；烘烤烧结：在N₂气氛下对硅片进行烘干，之后在N₂气氛下对硅片进行850-900℃高温烧结，烧结后下电极中的铝向基体晶体硅片扩散，形成铝扩散层。

2.根据权利要求1所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述介质材料包括Al₂O₃、SiN、SiO₂和SiON中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述导电膜膜材料包括AlZnO、SnO₂、MgO和ZrO中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述量子阱材料是由抑制铝扩散的介质层和导电层交替生长形成。

5.根据权利要求1所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述量子阱材料为Al₂O₃/ZnO、SiN/ZnO、纳米多层材料Al₂O₃/Al中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任意一项所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述上电极为银电极。

7.根据权利要求1-5任意一项所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述下电极为铝电极。

8.根据权利要求1-5任意一项所述高效率晶体硅太阳电池，其特征在于，所述基体晶体硅片为p型单晶硅、p型多晶硅、n型单晶硅或n型多晶硅。