[发明专利]一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201610450846.4 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN105926034B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 孟祥敏;黄兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/50;C30B29/48 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张文祎,赵晓丹 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cds cdse 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将CdS固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温至550-850℃，并将所述管式炉内压强保持在10-2000Pa，进行反应0.1-2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温，得CdS单晶纳米线阵列；
或，将CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；
对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温至550-750℃，并将所述管式炉内压强保持在10-2000Pa，进行反应0.1-2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温，得CdSe单晶纳米线阵列；
其中，所述CdS固体和CdSe固体为单晶片或粉末颗粒；所述保护气体为惰性气体或者惰性气体和氢气的混合气。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述升温的速率为10-25℃/min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CdS固体和CdSe固体的纯度大于99.9%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为陶瓷片、石英片或蓝宝石片。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空是指将放入衬底的管式炉内压强降至0.1-10Pa。
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