[发明专利]一种Cu3BiS3薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、制前驱溶液：将铜源、铋源和硫源溶于溶剂中，混合均匀后得到前驱溶液；所述铜源为硝酸铜、氯化铜或醋酸铜，所述铋源为硝酸铋、氯化铋或醋酸铋，所述硫源为秋兰姆，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺或二甲基亚砜；所述前驱溶液中铜源、铋源和硫源的摩尔比为(2.8～3.5)∶(0.9～1.1)∶(0.9～1.1)；所述溶剂还包括水，所述水的体积为前驱溶液总体积的0.1％～1.5％；

步骤二、制膜：将步骤一中所述前驱溶液通过液相法制膜，烘干后得到前驱薄膜；步骤三、退火：将步骤二中所述前驱薄膜在气氛保护下进行退火处理，得到Cu₃BiS₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中所述前驱溶液中秋兰姆的浓度为0.05mol/L～0.5mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述液相法为旋涂法。

4.根据权利要求1所述的一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤二中所述烘干的温度为100℃～300℃。

5.根据权利要求1所述的一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中所述气氛为S气氛或H₂S气氛。

6.根据权利要求1所述的一种Cu₃BiS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤三中所述退火处理的温度为300℃～500℃，所述退火处理的时间为0.5h～10h。