[发明专利]一种高性能开关电源芯片修调电路在审

专利信息
申请号: 201610456465.7 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN107528576A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 许亚夫 申请(专利权)人: 许亚夫
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110179 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 开关电源 芯片 电路
【权利要求书】:

1.一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述的修调电路由反熔丝修调单元电路、偏置电路、控制引脚UV/OV模块电路、高压电流源、修调模式切换电路、线电压锁存过压检测电路、锁存迟滞过压电路组成。

2.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述反熔丝修调单元电路中,齐纳二极管就是作为反熔丝修调二极管,为偏置电路所提供的偏置电压,BIT作为位选信号四输入与非门的输出,即计数状态输出相连。

3.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述的偏置电路中,M5,M6就是修调单元中最后输出级的两个MOS管,VREF来自基准,即M7镜像基准中的电流。

4.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述的控制引脚UV/OV模块电路的主要作用是控制PINC引脚电压,也就是芯片中低压电路的电源电压VCC,保持在5.8V左右,为整个芯片的控制部分提供相对稳定的供电电源。

5.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述高压电流源电路中,MOS管MH0为高压700V的耗尽管,其阈值电压约为-3V,另外两个MOS管MH1, MH2耐压也在20V左右。

6.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述高压电流源电路中,电路中的电阻以及二极管为高压电流源提供合适的偏置以及电路保护。

7.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述修调模式切换电路中,PTRIM-SET2来自前文所述UV比较模块,PAUTO-S13信号是计数器的计数状态S13的输出信号。

8.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述线电压的锁存过压检测电路中,PINV为外部线电压检测引脚,Ibiasl与Ibias2以及Vbiasl分别为通过芯片基准电路与镜像关系所产生的适当的偏置电流偏置与电压。

9.根据权利要求1所述的一种高性能开关电源芯片修调电路,其特征是:所述锁存迟滞过压电路中,PTRIM-SET3信号来自自动重启动模块,是负责预修调模式的一个重要信号。

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