[发明专利]沟槽栅极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽栅极结构的制造方法，包括：

在衬底表面形成绝缘衬垫，所述绝缘衬垫的一端形成斜坡结构；

在所述衬底和绝缘衬垫表面形成硬掩膜；

使用光刻胶光刻形成多晶硅栅极窗口；

通过所述窗口将露出的硬掩膜刻蚀掉，所述绝缘衬垫因硬掩膜的过刻蚀在所述窗口处形成相对绝缘衬垫的其他部分下凹的多晶硅栅极拉抬区，所述多晶硅栅极拉抬区相对于两侧的绝缘衬垫下凹，所述两侧是第一方向的左右两侧，所述第一方向是所述斜坡结构的斜坡梯度方向；

通过所述窗口刻蚀露出的衬底，形成沟槽；所述绝缘衬垫通过斜坡结构与所述沟槽邻接；

进行栅氧氧化，在所述沟槽的内表面形成栅氧层；

向所述沟槽内淀积多晶硅，形成多晶硅栅极；所述多晶硅栅极从沟槽内伸至所述多晶硅栅极拉抬区上，多晶硅栅极拉抬区上的多晶硅栅极作为与接触孔接触的区域；

将所述硬掩膜剥离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述硬掩膜剥离的步骤之后，还包括步骤：

进行多晶硅氧化；

进行阱注入和推阱；

进行有源区光刻及注入；

在所述衬底上形成介质层；

形成接触孔，并填充金属形成金属塞；所述金属塞打进所述多晶硅栅极拉抬区上的多晶硅栅极中；

在所述介质层上形成与所述金属塞连接的金属连线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底表面形成绝缘衬垫的步骤是生长场氧层后进行有源区光刻及湿法腐蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成沟槽的步骤之后、所述进行栅氧氧化的步骤之前，还包括步骤：

进行沟槽牺牲氧化，形成牺牲氧化层；

剥除所述牺牲氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述沟槽内淀积多晶硅的步骤之后，是通过多晶硅回刻形成所述多晶硅栅极。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多晶硅栅极窗口包括用于形成所述多晶硅栅极与所述金属塞接触的部位的金属塞接触窗口，用于形成所述多晶硅栅极的主体的主体窗口，以及连接所述金属塞接触窗口和主体窗口的连接窗口，所述连接窗口为长方形。

7.一种沟槽栅极结构，包括衬底，衬底表面的沟槽，衬底上的绝缘衬垫，所述沟槽内表面的栅氧层，以及所述栅氧层上的多晶硅栅极，其特征在于，所述绝缘衬垫通过自身的斜坡结构与所述沟槽邻接，所述多晶硅栅极从沟槽内沿所述斜坡结构延伸至所述绝缘衬垫上，所述绝缘衬垫包括较绝缘衬垫的其他部分下凹的多晶硅栅极拉抬区，所述多晶硅栅极拉抬区相对于两侧的绝缘衬垫下凹，所述两侧是第一方向的左右两侧，所述第一方向是所述斜坡结构的斜坡梯度方向；从沟槽中伸出的所述多晶硅栅极搭在所述多晶硅栅极拉抬区上，多晶硅栅极拉抬区上的多晶硅栅极作为与接触孔接触的区域。

8.根据权利要求7所述的沟槽栅极结构，其特征在于，所述多晶硅栅极拉抬区的所述斜坡结构的宽度与所述沟槽的宽度相等，两个所述宽度的方向均为与所述多晶硅栅极的延伸方向相垂直的方向。

9.根据权利要求7所述的沟槽栅极结构，其特征在于，所述绝缘衬垫为场氧层。

10.根据权利要求7所述的沟槽栅极结构，其特征在于，所述沟槽栅极结构为垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管或横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的沟槽栅极结构。