[发明专利]离子束线

权利要求书

1.一种离子注入系统，所述离子注入系统包括：

减速系统，其被构造成接收离子束并且以至少为2的减速比将所述离子束减速；

静电弯道，其被设置在所述减速系统的下游，用于造成所述离子束的偏转，

所述静电弯道包括：

第一电极对，其被设置在所述减速系统的下游，用于接收被减速的所述离子束，所述第一电极对具有被分隔开以允许所述离子束穿过其间的内部电极和外部电极，

第二电极对，其被设置在所述第一电极对的下游，并且具有被分隔开以允许所述离子束穿过其间的内部电极和外部电极，以及

末端电极对，其被设置在所述第二电极对的下游，并且具有被分隔开以允许所述离子束穿过其间的内部电极和外部电极，

其中，所述第一电极对、所述第二电极对和所述末端电极对被构造成被独立地偏置，

其中，

所述末端电极对的各电极被保持在比所述第二电极对的任一个电极所保持的电位小的电位，并且

所述第一电极对的电极相对于所述第二电极对的电极而被保持在更低的电位。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，

所述减速比在5至100的范围内。

3.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，

每个所述电极对的内部电极被保持在比该电极对的各自外部电极所保持的电位小的电位。

4.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，

所述第一电极对的所述外部电极和所述末端电极对的所述外部电极被保持在第一电位(V.sub.1)，并且

所述第一电极对的所述内部电极和所述末端电极对的所述内部电极被保持在第二电位(V.sub.2)。

5.根据权利要求4所述的离子注入系统，其中，

所述第二电极对的所述内部电极被电接地，并且

所述第二电极对的所述外部电极被保持在第三电位(V.sub.3)。

6.根据权利要求4所述的离子注入系统，其中，

所述第一电位比所述第二电位更高。

7.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，

所述减速系统包括减速元件，所述减速元件与下游的聚焦元件分开，以使得在所述减速元件和所述聚焦元件之间限定间隙。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，还包括用于产生所述离子束的离子源。

9.根据权利要求8所述的离子注入系统，所述离子注入系统还包括分析器磁铁，所述分析器磁铁被设置在所述离子源的下游以及所述减速系统的上游，用于接收由所述离子源产生的所述离子束并且产生质量选择的离子束。

10.根据权利要求1所述的离子注入系统，所述离子注入系统还包括：

对切透镜，所述对切透镜被设置在所述静电弯道的下游，所述对切透镜包括具有弯曲的下游端面的第一电极对、具有弯曲的上游端面的第二电极对，其中，所述对切透镜的所述第一电极对的以及所述第二电极对的所述端面相互分开，以在所述对切透镜的所述第一电极对的以及所述第二电极对的所述端面之间形成间隙。

11.根据权利要求10所述的离子注入系统，其中，

所述对切透镜的所述第一电极对和所述第二电极对被构造成被独立地偏置。

12.根据权利要求11所述的离子注入系统，其中，

所述对切透镜的所述第一电极对和所述第二电极对被偏置，以在所述间隙中产生用于聚焦穿过所述对切透镜的所述离子束的电场。