[发明专利]一种场氧化层的平坦化方法有效
| 申请号： | 201610461459.0 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107527810B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 平坦 方法 | ||
1.一种场氧化层的平坦化方法，其特征在于，包括如下顺序进行的步骤：
在硅衬底上依次形成氧化层和氮化硅层；
光刻、刻蚀，在所述氮化硅层上形成场氧化层图形；
在所述场氧化层图形上形成场氧化层；
刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并使残留场氧化层的上表面不低于所述氧化层的上表面；
去除所述氧化层和部分场氧化层，使残留场氧化层的上表面与所述硅衬底的上表面齐平；
所述去除所述氧化层和部分场氧化层包括：采用氢氟酸溶液对所述氧化层和部分场氧化层进行腐蚀。
2.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并使残留场氧化层的上表面不低于所述氧化层的上表面，包括如下顺序进行的步骤：
湿法刻蚀部分场氧化层，并使残留场氧化层的上表面高于所述氧化层的上表面；
湿法刻蚀全部氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的平坦化方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液湿法刻蚀部分场氧化层，并且采用浓磷酸湿法刻蚀全部氮化硅层。
4.根据权利要求3所述的平坦化方法，其特征在于，所述浓磷酸的温度为160-200℃。
5.根据权利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并使残留场氧化层的上表面不低于所述氧化层的上表面，包括：
干法刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并且控制所述干法刻蚀对所述场氧化层与所述氮化硅层的刻蚀速率之比为n：m；其中，n为所述场氧化层厚度的1/2，m为所述氮化硅层的厚度。
6.根据权利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，控制所述干法刻蚀的纵向刻蚀速率与横向刻蚀速率之比为(2-3)：1。
7.根据权利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，所述n：m的范围为(0.25-1)：(0.05-0.2)。
8.根据权利要求1至7任一所述的平坦化方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为0.01-0.20um，生长温度为900-1200℃；所述氮化硅层的厚度为0.05-1.0um，生长温度为500-1000℃。
9.根据权利要求1至7任一所述的平坦化方法，其特征在于，所述场氧化层的厚度为0.1-5.0um，生长温度为900-1200℃。
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