[发明专利]一种外延生长方法在审
| 申请号： | 201610463905.1 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546101A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
1.一种外延生长方法，其特征在于，包括：
提供一反应腔，所述反应腔设有反应气体入口、吹扫气体入口和排气出口；
提供一支撑平台，所述支撑平台设置在所述反应腔内，所述支撑平台设置有若干通气孔，所述通气孔喷出清洁气体；
提供一晶圆，所述晶圆设置在所述通气孔上；
在所述反应气体入口通入反应气体，同时在所述吹扫气体入口通入吹扫气体并与从所述清洁气体一起从排气出口排出。
2.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述反应气体包括三氯化硅和氢气。
3.如权利要求2所述的外延生长方法，其特征在于，所述三氯化硅的流量为10000sccm～20000sccm，所述氢气的流量为40000sccm～60000sccm。
4.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述吹扫气体和所述清洁气体均为氢气。
5.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述吹扫气体的流量为10000sccm～20000sccm。
6.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述反应腔内的温度为1120℃～1170℃。
7.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述支撑平台为可旋转的支撑平台。
8.如权利要求7所述的外延生长方法，其特征在于，所述支撑平台的旋转速度为20rpm～50rpm。
9.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述通气孔喷出所述清洁气体支撑所述晶圆。
10.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述吹扫气体入口的水平位置低于所述支撑平台。
11.如权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述通气孔包括第一通气孔和第二通气孔，所述第一通气孔位于所述支撑平台的中心区域，所述第二通气孔位于所述支撑平台的外围区域，其中，所述中心区域位于所述外围区域内。
12.如权利要求11所述的外延生长方法，其特征在于，所述第一通气孔的气流量大于所述第二通气孔的气流量。
13.如权利要求12所述的外延生长方法，其特征在于，所述第一通气孔的气体流量为5000sccm～15000sccm，所述第二通气孔的气体流量为5000sccm～15000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
