[发明专利]储存装置及其控制单元、可用于储存装置的数据储存方法

说明书

本发明涉及一种储存装置及其控制单元，以及一种可用于储存装置的数据储存方法。所述储存装置包括数据储存媒体与控制单元。数据储存媒体具有数据储存区，数据储存区具有多个第一数据区块。控制单元在对数据区块执行数据读取操作时，会判断数据区块之读取次数是否大于第一预设次数，并判断数据区块是否为第一数据区块。当皆判断为是时，控制单元便将多个第一数据区块转换成储存容量较小但存取速度较快的多个数据区块，并进行数据搬移操作。

技术领域

本发明涉及一种数据储存的相关技术，且特别是关于一种储存装置及其控制单元，以及一种可用于储存装置的数据储存方法。

背景技术

一般而言，储存装置主要由控制单元与数据储存媒体(例如是闪存)所构成，其中数据储存媒体具有多个数据区块(data block)，而控制单元电性耦接数据储存媒体，以对上述数据区块进行数据之存取或擦除。

具有三阶储存单元(triple-level cell，以下简称TLC)型态的闪存因为具有强大的数据储存能力而广泛地被使用在固态硬盘(SSD,Solid State Drive)。然而，当控制单元欲频繁地读取常用的数据时，其低落的数据存取速度往往成为固态硬盘的整理效能的瓶颈。

发明内容

因此，本发明的之一目的在于提出一种储存装置，其可提高常用数据的读取速度。

本发明的另一目的在于提出一种储存装置的控制单元，其可提高常用数据的读取速度。

本发明的再一目的在于提出提供一种可用于储存装置的数据储存方法，其可提高常用数据的读取速度。

本发明提出一种储存装置，其包括数据储存媒体与控制单元。数据储存媒体具有数据储存区，数据储存区具有多个第一数据区块，每一第一数据区块具有多个第一储存单元，且每一第一储存单元可储存M个比特数据。控制单元电性耦接数据储存媒体，且控制单元用以在对数据区块执行数据读取操作时，判断数据区块之读取次数是否大于第一预设次数，并判断数据区块是否为其中一第一数据区块。控制单元还依据判断之结果而自数据储存区中选取多个第一数据区块，并将选取之第一数据区块转换成多个其每一储存单元可储存N个比特数据的数据区块，以及将数据区块中的数据搬移至选取之数据区块中，其中N与M皆为自然数，且N小于M。

本发明另提出一种控制单元，其包括控制逻辑与微处理器。控制逻辑电性耦接数据储存媒体，所述数据储存媒体具有数据储存区，数据储存区具有多个第一数据区块，每一第一数据区块具有多个第一储存单元，且每一第一储存单元可储存M个比特的数据。微处理器电性耦接控制逻辑，且微处理器用以在透过控制逻辑对数据区块执行数据读取操作时，判断数据区块之读取次数是否大于第一预设次数，并判断数据区块是否为其中之一第一数据区块。微处理器还依据判断之结果而自数据储存区中选取多个第一数据区块，并将选取之第一数据区块转换成多个其每一储存单元可储存N个比特数据的数据区块，以及透过控制逻辑将数据区块中的数据搬移至选取之数据区块中，其中N与M皆为自然数，且N小于M。

本发明再提出一种可用于储存装置的数据储存方法，其包括下列步骤：在对数据区块执行数据读取操作时，判断数据区块之读取次数是否大于第一预设次数，并判断数据区块是否为数据储存区中之多个第一数据区块的其中之一，其中每一第一数据区块具有多个第一储存单元，且每一第一储存单元可储存M个比特的数据；以及依据判断之结果自数据储存区中选取多个第一数据区块，并将选取之第一数据区块转换成多个其每一储存单元可储存N个比特数据的数据区块，以及将数据区块中的数据搬移至选取之数据区块中，其中N与M皆为自然数，且N小于M。

本发明系使储存装置之控制单元在对数据区块执行数据读取操作时，判断数据区块之读取次数是否大于第一预设次数，并判断数据区块是否为第一数据区块。当皆判断为是时，控制单元便将多个第一数据区块转换成储存容量较小但存取速度较快的多个数据区块，并进行数据搬移操作。因此，本发明之储存装置可提高常用数据的读取速度。