[发明专利]微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构及其封装方法

权利要求书

1.微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，包括微机电芯片、集成电路芯片、上基板、下基板以及设置于上基板和下基板之间的塑封胶，微机电芯片、集成电路芯片与上基板和/或下基板之间形成电连接，上基板与下基板之间形成电连接，其特征在于：上基板上开出至少一个穿透上基板的窗口，一个或多个微机电芯片和/或集成电路芯片放置于上基板的窗口处、下基板表面和/或上基板表面。

2.根据权利要求1所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述上基板为上层电路基板，下基板为下层电路基板，其中，

下基板的上表面上放置微机电芯片或集成电路芯片，称为下基板上方芯片，下基板上方的微机电芯片上的电路、集成电路芯片的有源表面通过电连接至下基板的表面；

下基板的上部设置塑封胶，所述塑封胶包覆下基板上方芯片、电子元器件及电连接结构；

上基板的下表面贴合于塑封胶的上方，上基板的下表面与塑封胶之间的缝隙设置填充物；

上基板的下表面与下基板的上表面之间设置穿过塑封胶与填充物且具有电连接的通孔，通孔内部有导电性材料；

所述窗口贯通至塑封胶表面，窗口内的塑封胶表面上方放置微机电芯片或集成电路芯片，称为窗口内芯片，窗口内的微机电芯片上的电路、集成电路芯片的有源表面通过电连接至上基板的表面。

3.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述窗口内塑封胶有向下凹沉或向上凸起的结构，分别称为凹沉窗口和凸起窗口。

4.根据权利要求1、2或3所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述微机电芯片、集成电路芯片周围设置电路保护装置。

5.根据权利要求4所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述电路保护装置为保护性覆盖胶体或塑封胶。

6.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述上基板上部设置封合装置。

7.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：在上基板上方设置至少一个预塑封腔体。

8.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述微机电芯片或集成电路芯片能够平行或堆叠放置。

9.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：窗口内的塑封胶表面首先放置辅助性衬底，然后在辅助性衬底的上表面放置微机电芯片。

10.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：下基板下表面能够与位于其下方的印刷电路板或封装体或电源互连，并形成电连接。

11.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述上基板采用金属框架衬底。

12.根据权利要求11所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述金属框架衬底被塑封胶塑封，该塑封胶称为金属框架衬底塑封胶。

13.根据权利要求2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述填充物为金属框架衬底塑封胶。

14.根据权利要求1或2所述的微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构，其特征在于：所述上基板和/或下基板的上表面上设置与其形成电连接的至少一个电子元器件或其封装体。

15.基于权利要求1所述微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、在下基板上进行植锡球、集成电路芯片粘贴、设置电连接机构、并形成电连接操作；

步骤2、对下基板上的锡球、集成电路芯片、电连接机构进行塑封；

步骤3、对锡球上方的塑封结构进行激光烧蚀，并且在激光烧蚀后的锡球上方继续进行植锡球操作；

步骤4、将带有至少一个窗口的上基板与步骤3得到的锡球焊接起来，同时进行填充物充填；

步骤5、在窗口内放置微机电芯片，并对微机电芯片进行电连接操作；

步骤6、进行点胶，加上封合装置，形成封装结构。

16.基于权利要求1所述微机电芯片与集成电路芯片的混合封装结构的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、在下基板上进行植锡球、集成电路芯片粘贴、设置电连接机构、并形成电连接操作；

步骤2、对下基板上的锡球、集成电路芯片、电连接机构进行塑封；

步骤3、对锡球上方的塑封结构进行激光烧蚀，并且在激光烧蚀后的锡球上方继续进行植锡球操作；

步骤4、将带有至少一个窗口的上基板与步骤3得到的锡球焊接起来，同时进行填充物充填；

步骤5、在上基板上部设置预塑封腔体；

步骤6、在窗口内放置微机电芯片，并对微机电芯片进行电连接操作；

步骤7、进行点胶，加上封合装置，形成封装结构。