[发明专利]一种DUVLED外延片结构有效
| 申请号： | 201610466965.9 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105957936B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 卢太平;朱亚丹;周小润;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 张彩琴 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 duv led 外延 结构 | ||
1.一种DUV LED外延片结构，包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次为缓冲层、n-AlGaN层、多量子阱发光层、p-AlGaN层以及p-GaN接触层；其特征在于，所述多量子阱发光层是由若干对阱层和垒层依次从下向上交替堆叠组成的，该阱层为AlxGa1-xN/AlzInyGa1-y-zN/AlxGa1-xN，其中0.6≦x≦0.9，y和z的取值要满足Eg（AlzInyGa1-y-zN）< Eg（AlxGa1-xN），垒层为AlN；所述阱层中AlzInyGa1-y-zN层的厚度为0.3～2nm，阱层的厚度小于垒层的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，所述阱层中两层AlxGa1-xN层总的厚度为2～5nm，垒层的厚度为5～20nm。
3.根据权利要求1或2所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，所述缓冲层为AlN缓冲层，或者是由AlN层和AlGaN/GaN超晶格组成的缓冲层。
4.根据权利要求1或2所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，所述多量子阱发光层中阱层和垒层的周期数为1-20对。
5.根据权利要求3所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，所述多量子阱发光层中阱层和垒层的周期数为1-20对。
6.根据权利要求1或2所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，多量子阱发光层制备过程中AlxGa1-xN层的生长温度与AlzInyGa1-y-zN层的生长温度相同。
7.根据权利要求3所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，多量子阱发光层制备过程中AlxGa1-xN层的生长温度与AlzInyGa1-y-zN层的生长温度相同。
8.根据权利要求4所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，多量子阱发光层制备过程中AlxGa1-xN层的生长温度与AlzInyGa1-y-zN层的生长温度相同。
9.根据权利要求5所述的一种DUV LED外延片结构，其特征在于，多量子阱发光层制备过程中AlxGa1-xN层的生长温度与AlzInyGa1-y-zN层的生长温度相同。
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