[发明专利]浪涌保护电路

权利要求书

1.一种浪涌保护电路，其特征在于，包括：

电流引导单元(MN51)，所述电流引导单元(MN51)耦接在输入端与地之间；

放大单元，所述放大单元包括(i)第一晶体管(MP51)、(ii)第一阻抗单元(R51)、(iii)第二晶体管(MN52)以及(iv)第二阻抗单元(R52)，所述第一晶体管具有耦接于所述输入端的源极端，所述第一阻抗单元耦接于所述第一晶体管的漏极端和地之间，所述第二晶体管具有耦接于地的源极端，所述第二阻抗单元耦接于所述输入端与所述第二晶体管的漏极端之间，其中，所述第一晶体管的栅极端耦接于所述第二晶体管的漏极端，并且所述电流引导单元耦接于所述第一晶体管的漏极端；

电压提升单元，所述电压提升单元包括(i)第三晶体管(MP52)、(ii)第三阻抗单元(R53)、第四阻抗单元(R54)以及(iv)第五阻抗单元(R55)，所述第三晶体管具有耦接于所述输入端的源极端，所述第三阻抗单元耦接于所述输入端与所述第三晶体管的栅极端之间，所述第四阻抗单元与所述第五阻抗单元以串联方式耦接于所述第三晶体管的漏极端与地之间，其中，所述第二晶体管的栅极端耦接于所述第四阻抗单元与所述第五阻抗单元之间的节点；以及

DC电压检测单元，其中所述DC电压检测单元耦接于所述第一晶体管的栅极端与地之间。

2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述DC电压检测单元(107)包括从二极管组和晶体管组中选择出来的一个或多个元件。

3.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述二极管组包括正向二极管，结型二极管和齐纳二极管。

4.根据权利要求2所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述晶体管组包括NMOS晶体管，PMOS晶体管，双极型晶体管，以及延长型漏极晶体管。

5.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述DC电压检测单元包括：

多个级联二极管，其中，所述多个级联二极管的第一二极管具有耦接到地的输入端并且所述多个级联二极管的最末二极管具有耦接到所述第一晶体管的栅极端的输出端，并且

其中，所述级联二极管对浪涌事件检测DC电压并且当所述DC电压超过阈值电压时进入反向导通状态，并且其中，在所述级联二极管导通后，其为所述第一晶体管(MP51)持续生成Vgs以导通所述第一晶体管。

6.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述DC电压检测单元包括：

多个级联PMOS晶体管，所述多个级联PMOS晶体管对浪涌事件检测DC电压并且当所述DC电压超过阈值电压时导通，并且其中，在所述级联PMOS晶体管导通后，其为所述第一晶体管(MP51)持续生成Vgs以导通所述第一晶体管。

7.根据权利要求1所述的浪涌保护电路，其特征在于，所述放大单元触发所述电流引导单元以将ESD电流引导到地并且当ESD脉冲出现时生成钳位电压。