[发明专利]一种X射线探测仪及其薄膜晶体管制备方法

权利要求书

1.一种可探测X射线的薄膜晶体管制备方法,其特征在于，包括：

在衬底上淀积一层电极层；

光刻和刻蚀所述电极层，形成相隔预定距离的两个栅电极；

在所述栅电极上淀积覆盖两个所述栅电极的栅介质层；

在所述栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；

在所述栅介质层上生成分别与两个所述栅电极对应的有源区图形，所述有源区的中部为沟道区，两边为源漏区；

淀积一连续的导电层覆盖两个所述有源区；

光刻和刻蚀所述导电层，去除沟道区上方的所述导电层，并保留两个有源区之间的所述导电层，使得一个有源区的源区和另一个有源区的漏区电性相连；

淀积覆盖两个所述有源区和所述导电层的钝化层；

穿过所述钝化层制备用于将两个所述有源区的源漏区与外界电性连接的接触电极；

在所述钝化层生长闪烁体层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体的材料为铊掺杂碘化钠、铊掺杂碘化铯、铪酸盐系列、铈激活闪烁体或镥基闪烁体。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体的生长包括由溶液凝胶法、液相外延生长或水热法生长。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪烁体在X射线照射下其发射波长的能量大于沟道的禁带宽度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述两个有源区的材料相同，所述在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形包括：

在所述栅介质层上淀积金属氧化物半导体层；

采用光刻技术，光刻和蚀刻所述金属氧化物半导体层，形成分别与两个栅电极对应的有源区图形。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述两个有源区的材料不同，所述在栅介质层上生成分别与两个栅电极对应的有源区图形包括：

在所述栅介质层上淀积第一金属氧化物半导体层；

采用光刻技术，光刻和蚀刻所述第一金属氧化物半导体层，形成与两个栅电极中的一个栅电极对应的第一有源区图形；

在所述栅介质层和第一有源区图形上磁控溅射生长第二金属氧化物半导体层，所述第二金属氧化物半导体层与第一金属氧化物半导体层为不同的材料；

采用光刻技术，光刻和蚀刻所述第二金属氧化物半导体层，形成与两个栅电极中的另一个栅电极对应的第二有源区图形。