[发明专利]氙灯准分子紫外光氧化真空设备及其使用方法

权利要求书

1.一种氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，包括：

真空腔室，在真空腔室内设有控制机构；

氙灯准分子放电管，氙灯准分子放电管设置在真空腔室内部，在氙灯准分子放电管内设有水冷装置，氙灯准分子放电管与控制机构连接；

样品架，样品架从外侧穿过真空腔室的底部进入真空腔室内部，并且样品架与氙灯准分子放电管平行；

氧气入口、氮气入口及排气口，氧气入口、氮气入口及排气口设置在真空腔室的侧壁上，氧气入口、氮气入口及排气口与真空腔室的内腔连通；

控制系统设置在真空腔室上。

2.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，氙灯准分子放电管发射的紫外光波长为172nm。

3.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，控制系统包括分别设置在真空腔室上的机械泵、真空计和气压计。

4.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，还包括电学接口，电学接口设置在真空腔室的侧壁上。

5.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，还包括备用接口，备用接口设置在真空腔室的侧壁上。

6.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，在样品架内设置温控系统。

7.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，样品架包括控制杆及设置在控制杆端部的样品台；其中样品台与氙灯准分子放电管平行；控制杆沿着竖直方向在5mm～100mm的范围内移动。

8.根据权利要求1所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备，其特征在于，真空腔室的材质为不锈钢。

9.一种氙灯准分子紫外光氧化真空设备的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将氮气充入真空腔室内直至真空腔室内气压大于一个大气压后停止充入氮气，打开真空腔室门；

步骤2，将样品放置于样品架上，调节样品与氙灯准分子放电管下表面的距离为11mm，关闭真空腔室门；

步骤3，开启机械泵直至真空腔室内的气体压强达到3Pa；

步骤4，通入预定值压强的氧气；

步骤5，通入氮气直至真空腔室内的气压为1atm；

步骤6，开启氙灯准分子放电管照射15min；

步骤7，开启机械泵和排气口直至真空腔室内的气体压强降到3Pa；

步骤8，关闭机械泵。

10.根据权利要求9所述的氙灯准分子紫外光氧化真空设备的使用方法，其特征在于，步骤4中，预定值为0.2atm、4kPa或7Pa。