[发明专利]二极管的金属电极、制备方法和二极管有效
| 申请号： | 201610475438.4 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107546120B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李理;赵圣哲;姜春亮 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/868;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 金属电极 制备 方法 | ||
1.一种二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，包括：
在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层；
对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层；
在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层；
对所述合金层进行退火处理，以形成所述半导体功能层和所述合金层之间的金属硅化物层，具体包括以下步骤：
所述退火处理包括第一阶段退火，所述第一阶段退火的温度范围为900～950℃，退火时间的范围为20～30分钟，所述第一阶段退火的升温速率小于或等于30℃/分钟；
所述退火处理还包括第二阶段退火，所述第二阶段退火以指定降温速度进行，所述指定降温速度大于或等于15℃/秒；
温度降低至500℃以下后停止退火；
所述第二阶段退火在所述第一阶段退火之后进行。
2.根据权利要求1所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层，具体包括以下步骤：
在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧进行多种金属的蒸镀处理，以形成所述合金层。
3.根据权利要求1所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧形成合金层，具体还包括以下步骤：
在完成二极管的半导体功能层的制备后，在所述半导体功能层的正侧进行多种金属的金属溅射处理，以形成所述合金层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述在形成所述金属硅化物层后，在所述半导体功能层的背侧形成金属层，具体包括以下步骤：
在形成所述金属硅化物层后，采用金属溅射工艺和/或蒸镀工艺在所述半导体功能层的背侧形成金属层。
5.一种二极管的金属电极，其特征在于，采用如权利要求1至4中任一项所述的二极管的金属电极的制备方法制备而成。
6.根据权利要求5所述的二极管的金属电极的制备方法，其特征在于，所述金属电极的合金层包括铂金属，所述铂金属在所述合金层的质量比例范围为3％～10％。
7.一种二极管，其特征在于，包括：
衬底区；
半导体功能层，形成于所述衬底区的正侧；
如权利要求5或6所述的二极管的金属电极，作为第一金属电极，形成于所述半导体功能层之上；
第二金属电极，形成于所述衬底区的背侧。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
