[发明专利]一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的蓝宝石衬底、低温GaP缓冲层、高温GaP缓冲层、GaP欧姆接触层、GaAsP过渡层、GaAs缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述低温GaP缓冲层的厚度为15-50nm，掺杂浓度为1E19-6E19个原子/cm³；所述高温GaP缓冲层的厚度为0.3-1μm，掺杂浓度为1E19-5E19个原子/cm³；所述GaP欧姆接触层的厚度为2-5μm，掺杂浓度为1E19-5E19个原子/cm³；所述GaAsP过渡层的厚度为0.5-1μm，掺杂浓度为1E19-5E19个原子/cm³；所述GaAs缓冲层的厚度为0.5-1μm，掺杂浓度为1E17-5E18个原子/cm³。

2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述低温GaP缓冲层的厚度为16-45nm，掺杂浓度为2E19-5E19个原子/cm³；所述高温GaP缓冲层的厚度为0.35-0.9μm，掺杂浓度为2E19-5E19个原子/cm³；所述GaP欧姆接触层的厚度为2.5-4.5μm，掺杂浓度为2E19-5E19个原子/cm³；所述GaAsP过渡层的厚度为0.6-0.9μm，掺杂浓度为2E19-5E19个原子/cm³；所述GaAs缓冲层的厚度为0.6-0.9μm，掺杂浓度为2E17-4E18个原子/cm³。

3.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述低温GaP缓冲层的厚度为25nm，掺杂浓度为4E19个原子/cm³；所述高温GaP缓冲层的厚度为0.5μm，掺杂浓度为4E19个原子/cm³；所述GaP欧姆接触层的厚度为3.2μm，掺杂浓度为4E19个原子/cm³；所述GaAsP过渡层的厚度为0.52μm，掺杂浓度为4E19个原子/cm³；所述GaAs缓冲层的厚度为0.65μm，掺杂浓度为6E17个原子/cm³。

4.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs背场层采用Al_XGa_1-XAs材料，X的取值范围为0.2-0.49。

5.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs背场层采用Al_XGa_1-XAs材料，X＝0.41。

6.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs窗口层采用Al_YGa_1-YAs材料，Y的取值范围为0.5-1。

7.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs窗口层采用Al_YGa_1-YAs材料，Y的取值范围为0.51-0.9。

8.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs窗口层采用Al_YGa_1-YAs材料，Y＝0.62。

9.根据权利要求1所述的一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层的厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为1E17-5E18个原子/cm³；所述GaAs基层厚度为2-5um，掺杂浓度为1E17-5E18个原子/cm³；所述GaAs发射层厚度为0.5-1um，掺杂浓度为1E18-5E19个原子/cm³；所述AlGaAs窗口层厚度为0.03-0.1um，掺杂浓度为1E18-5E19个原子/cm³；所述GaAs电极接触层厚度为0.2-1um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm³。